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[参考译文] LMG1210:HO 端子波形中断

Guru**** 2503725 points


请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1396683/lmg1210-disruption-of-the-ho-terminal-waveform

器件型号:LMG1210

工具与软件:

大家好!

HO 引脚的波形受到干扰、因此请告诉我原因和对策。

Ho pn:红点

LO 引脚:蓝色点

是测量点。

LO 引脚没有问题、

但是、HO 引脚波形会失真、即使它未连接到 FET。

请告诉我原因和对策。

如果有您需要的信息、我们将对其进行测量并提供。

此致、

Ryusuke

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    大家好!

    向 FET 施加电流时、只有 HB 和 HO 电压会发生变化。 HB 和 HS 之间的额定电压也为5.5V 或更高。

    是什么导致 HB 和 HO 电压发生变化?

    如果电压超过额定值、是否有安装齐纳二极管等措施?

    向 FETn 施加电流时、栅极电压和 HB 会波动。

    HB-HS 超过了5.5V 的额定电压、超过了约1V

    此致、

    Ryusuke

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    您好 Ryusuke、

    自举电容器 C314可能过大、并且在 HO 切换至高电平时未充满电。  

    有关该值和 VDD 电容值的计算方法、请参阅此应用手册。

    针对半桥配置的自举电路选择

    确保尽量减小栅极驱动器和 FET 之间的距离。 增加栅极驱动器和开关管之间的距离将增加寄生电容、并可能增加振铃、使其超出栅极驱动器引脚的规格。 否则可能会造成损坏。 GaN 栅极驱动器和 GaN FET 对栅极电压非常敏感。 也可以使用齐纳二极管来钳制电压

    此外、VCC 由于内部 LDO、VIN 和 LDO/LDO 均不需要电源 VDD。

    谢谢!

    Walter

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    您好、Walter、

    1) 1)自举电容器 C314可能过大、并且当 HO 切换至高电平时未充满电。

    当自举电→的容量值发生变化时、Δ I 发送波形。

    HB-HS 的额定电压超过5.5V。

    2) GaN 栅极驱动器和 GaN FET 对栅极电压非常敏感。 也可以使用齐纳二极管来钳制电压

    →第9.3节的第4节禁止采用4节的措辞。 数据表中指出控制器(CPU)的 GND 和栅极驱动器应分开。

    请告诉我原因。

    此外、VCC 由于内部 LDO、VIN 和 LDO/LDO 均不需要电源 VDD。

    →如果 Vin 和 Vcc 输入是共用的、它们是否应该被分开?

    此致、

    Ryusuke

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    您好 Ryusuke、

    HS 上的振铃可能会导致自举电容器过充。 添加齐纳钳位二极管并使 FET 靠近驱动器应该会有所帮助。

    选择具有较大 VF 的自举二极管可能有助于防止自举电容器过充。

    数据表显示在控制器和驱动器之间使用一个公共接地。 如果控制器接地和驱动器接地是分开的、则可能会出现接地基准失调电压、从而导致误差。

    Vin 和 VCC 引脚不常见。 有一个内部 LDO、因此如果 Vin 由6V-18V 供电、则不需要 VCC 连接。 如果提供稳定的5V 电源、则可以断开 Vin 并将5V 连接到 VDD。

    谢谢!

    Walter