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[参考译文] LM5143：击穿问题

admin
Guru**** 1869600 points
Other Parts Discussed in Thread: LM5143, LM5148
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1399960/lm5143-shoot-through-issue

器件型号：LM5143
Thread 中讨论的其他器件： LM5148

工具与软件：

我刚刚使用 TI 的 LM5143控制器制作了一个电路板、其中该控制器被配置为交错降压转换器、其中输出为5.1V @ 10A。  在负载甚至空载条件下效率也会下降。 在空载条件下、输入为48V @ 100mA；在负载条件下(2-4A 输出)、输入约为60%、MOSFET 变热(>MOSFET 80°C 在仅30-40%负载下)。  我认为这与击穿有关、但我不确定由于此器件具有自适应死区时间控制功能。  我将一个电流探头连接到输入端、当高侧关断而低侧导通时、电流尖峰很大并产生一些振铃。  其他一切看起来都正常、其中占空比已正确调节、没有振荡。

我已将原理图与光绘文件的唯一改动附在后。  我使用的是6.8 uH、而降压转换器为10 uH (工作台设计人员建议使用4.7 uH、因此我可能最终得到)。  选择的所有电感器的 DCR 比工作台设计器中的电感器低得多。  我当前正在使用的 MOSFET 的顶部和底部均为 ISC0602NLSATMA1。  我曾查看过论坛、有些人使用带有这种控制器的较慢 MOSFET、所以我不确定具体情况。  我能想到的唯一一点是布局问题、它会影响自适应死区时间；然而、我看到了无负载的这一问题、这会让我认为不是噪声问题。

e2e.ti.com/.../LM5143_5F00_PCB.zipe2e.ti.com/.../2806.LM5143_5F00_SCH.pdf

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    TI__Guru**** 1869600 points
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    您好、请发送一个针对该设计的完整快速入门文件。

    此致、

    TIM

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    TI__Guru**** 1869600 points
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    请注意、您不需要两个相位即可提供5.1V/10A。 一个相位足以满足此要求、并且将实现更好的总体效率、尤其是在轻负载下。 在本例中考虑使用 LM5148。

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    TI__Guru**** 1869600 points
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    所以我对分离轨和高功率应用有将来的计划、所以我想将这种芯片用于应用。  LM5148似乎也具有自适应死区时间、因此、如果布局或原理图出现问题、可能会再次发生。  对于此应用、我还将尝试实现较低的温升、因为人们可能会接触电源。  我认为开发板为5V @ 7A、且温升为40°C、我们希望做得更好。

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    TI__Guru**** 1869600 points
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    更新了：我收到了开发板、虽然配置为双电源、但是运行良好。  然后、我将其配置为使用开关的交错模式、并将电压反馈接地。  我一直运行负载到10A、让它等待一段时间、一切似乎都正常。  然后、我开始使用电子负载减小负载、当我从1A 跃升至0A 时、其中一个高侧 FET 短接并将 Vin 连接到 Vout。  FET 短路时、它还将取出控制器。  对这个控制器的看法不是很好。

    我以30V 的输入电压运行、FB1/FB2连接到 GND 以将输出设置为5V。

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    TI__Guru**** 1869600 points
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    我提供了原理图和光绘文件。  您需要实际的设计文件吗？

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    TI__Guru**** 1869600 points
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    Brian、您好！

    EVM 设置为2.1MHz、因此如果需要低温升、请考虑较低的开关频率(例如、200-400kHz 可提供良好的效率与尺寸之间的权衡)。

    ——

    TIM

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    TI__Guru**** 1869600 points
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    在将 EVM 设置为两相解决方案方面、步骤是连接输出端、使用开关将 COMP1连接到 COMP2并将 SS1连接到 SS2、移除第二个补偿网络、并将 MODE 设置为高电平。

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    TI__Guru**** 1869600 points
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    这是快速入门计算器的链接： https://www.ti.com/tool/LM5143DESIGN-CALC。 我们需要执行此操作来检查原理图。