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[参考译文] CSD87501L:使用共漏极驱动两个 N 沟道 MOSFET

Guru**** 2381440 points
Other Parts Discussed in Thread: CSD87501L
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1403412/csd87501l-driving-two-n-channel-mosfet-with-common-drain

器件型号:CSD87501L

工具与软件:

尊敬的所有人:

我计划在我的设计中使用 CSD87501L。  我有一个简短的问题。  能否将栅极1和栅极2连接在一起、并使用 MSP430的 GPIO 打开两个晶体管?

谢谢、提前告知您的回复、

A.特斯拉。

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    你好、Ali、

    感谢您关注 TI FET。 直接通过 MSP430的 GPIO 驱动栅极可能不起作用。 在大多数应用中、一个 FET 的源极连接到直流电压、另一个 FET 的源极连接到负载。 每个 FET 的栅极必须至少比其源极高4.5V 的电压驱动、以保证 FET 的导通电阻。 例如、如果直流输入电压为12V、则必须将栅极驱动到至少16.5V 才能保证 FET 导通。 只要 Vg1s1和 Vg2s2 >= 4.5V、栅极就可以连接在一起。 该器件的常见应用包括 USB-C 电源路径开关和电池保护、而控制 IC 通常包括一个电荷泵、用于生成所需的栅极驱动电压。 如果您有任何其他问题、敬请告知。

    此致、

    约翰·华莱士

    TI FET 应用

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    尊敬的 John:

    感谢您的讲解。  好的、我还有一个问题。  我将 FET (电源)的一端连接到标称电压为3.8V 的电池、另一端连接到负载。  如果我将栅极1和栅极2连接 在一起、请如何对电池进行充电和放电。  通常不是从漏极流向源极的电流。 在什么情况下、电流会从源极流向漏极。

    谢谢、Ali。

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    尊敬的 Ali:

    您必须独立驱动每个 FET 的栅极以控制充电和放电。 当 FET 导通时(即 VGS > 4.5V)、电流可以沿任一方向流过通道、当 FET 关断时、如果电流变为正向偏置、电流可以流过体二极管。 当两个 FET 都关断时、没有电流流动、因为两个 FET 的体二极管背靠背并将阻断任一方向的电流。

    谢谢!

    John

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    尊敬的 John:

    我认为 N 沟道 MOSFET 中的电流不能朝每个方向流动(从源极流向漏极、反之亦然)、因为基板连接到了源极?

    此致、

    Ali。

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    尊敬的 Ali:

    当 N 沟道 FET 导通时、电流可以沿任一方向流过该通道。 当 FET 关断时、体二极管会阻止电流从漏极流向源极、但如果源极电压高于漏极电压、体二极管将正向偏置、电流将从源极流向漏极。

    谢谢!

    John

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    尊敬的 John、 请再来回答一个问题。  您能否介绍一个用于驱动 CSD87501L 栅极的驱动器。

    谢谢、Ali。

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    尊敬的 Ali:

    我不知道专门用于双路共漏极 FET 的栅极驱动器。 在大多数应用中、此器件与电池管理 IC 或包含电荷泵和集成栅极驱动器的 USB-C 控制器配对使用。  由于这是一个电池供电的应用、您是否考虑过 TI 电池管理/充电器解决方案? 或者、如果电路板上提供12V 电压、则可以使用 TI 栅极驱动器。 我是 TI 分立式和电源块 FET 的应用工程师、但可以将该线程重新分配给另一个应用团队。 如果您希望我将其分配给我们的高性能驱动器团队或电池管理团队、请告诉我。

    谢谢!

    John