[参考译文] BQ2970：关于5M Ω 栅极电容放电电阻器

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https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1408713/bq2970-regarding-the-5mohm-gate-capacitance-discharge-resistor

器件型号：BQ2970

工具与软件：

您好！

BQ2970数据表的第5.1.4章和第5.1.5章说明了以下引脚：

"一个5m Ω 高阻抗电阻从 DOUT (COUT)连接到 VSS、用于在时对栅极电容进行放电
FET 已关断。'

进一步而言、在第9.2.2章中有一个要点、表示"TI 建议在每个外部 FET 的栅极源极上放置高阻抗5MOhm、以耗尽栅源极电容上的任何电荷。"

问题1：从5.1.4/5.1.5章开始、人们感觉到 IC 中包含5M Ω 电阻、因为它是引脚说明的一部分、并说连接了一个电阻器(而不是应连接)。但是、明白 IC 没有任何此类内部电阻是正确的、用户应自行决定将此电阻添加到电路板上。

第8.2章中的功能方框图展示了 COUT 和 DOUT 的推挽式 FET。因此、我们假设 IC 在没有外部电阻器的帮助下能够使任何栅源电容放电。

问题2：即使 DOUT 和 COUT 具有内部下拉 FET、也如何建议使用5M Ω 电阻器？它们只是短暂驱动吗？

问题3：我们认为 DOUT 上的5m Ω 可能与关断状态下的栅极浮动(当 DOUT 在过放电状态下应处于低电平时)相关。了解这一浮动栅极驱动问题与断电状态无关、因为也建议为 COUT 使用电阻器(这通常与不发生断电状态的高电池电压保护更相关)、这是否正确？

1 年多前

0 admin 1 年多前

TI__Guru**** 2390735 points

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您好、Southern Engineer：

[引用 userid="407685" url="~/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1408713/bq2970-regarding-the-5mohm-gate-capacitance-discharge-resistor 5.1.4/5.1.5章节通过用户感受到 IC 中包含了5M Ω 电阻、因为它是引脚说明的一部分、并表明已连接了电阻器(而非应连接一般)。但是、了解 IC 没有任何此类内部电阻是正确的、用户应将此电阻添加到电路板上？

正确、措辞有点令人困惑、但似乎是说用户应在电路板上添加5m Ω 电阻。您可以查看我们的 EVM 原理图作为参考。

正确、在正常运行期间、但在某些情况下、引脚未直接控制为高电平或低电平(例如器件处于关断状态时)。栅源电阻器将确保 MOSFET 在需要关断的所有条件下保持关断。

[报价 userid="407685" url="~/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1408713/bq2970-regarding-the-5mohm-gate-capacitance-discharge-resistor 问题3：我们认为 DOUT 上的5 或许与关断状态下的栅极悬空有关(当 DOUT 在过放电状态下应该是低电平时)。了解这一浮动栅极驱动问题与断电状态无关是正确的、因为也建议为 COUT 使用电阻器(在不发生断电状态的情况下、该电阻器通常与高电池电压下的保护更为相关)？

我认为这与两者有关。例如、在零伏充电抑制的情况下、该引脚可能变为 Hi-Z、因此您可能需要电阻器、以便在所有情况下使 MOSFET 保持关闭状态。在大多数时间里,它应该不是必要的。

此致、

Luis Hernandez Salomon

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