[参考译文] BQ24157：BQ24157：BQ24157 VBUS 在拔下5V USB 或交流适配器后仍具有4.2V 电压

您好！

您能否分享其余的寄存器设置？ 如果可能、您的器件原理图也会失效？

此致、

Juan Ospina

尊敬的 Juan Ospina：

感谢您的答复。 寄存器设置和电路图如下所示。 蓝线表示不同于基准电路的器件。
此致、

您好、胡萝卜、

我们正在对此进行研究、并将在一天结束时与您联系。

此致、

Wyatt Keller

您好！

4.2V 输入电压确实似乎表明它与基于 DPM 的输入电压有关、但电压保持高电平有点出乎意料。 这似乎表明一些泄漏电流仍在进入 VBUS。 在4.2V 时、我预计会有大约15uA 的泄漏电流进入器件、这会使 VBUS 电容器快速放电。 是否有任何其他元件或设备连接到 VBUS 节点？  您目前的电池电压是多少？

此外、可以读回此状态下的寄存器值吗？ 我想检查整个器件中有哪些不同的状态位。

此致、

Juan Ospina

大家好、 Juan Ospina

VBUS 具有常开 MOSFET 开关和连接的电压检测电阻。
当输出电压为4.2V 时、电池电压介于3.72和3.78V 之间。
寄存器05h 指示 DPM。

寄存器00h 01h 02h 04h 05h
--------------------------------------------------------
为 D0 58 6C 0B 00充电
VBUS = 4.2V D0 58 6C 0B 10.
未连接40 5E 6C 0B 00
初始设置 C0 58 6C 23 00

此致、

胡萝卜

您好、胡萝卜、

感谢您的回复、

我会在假期结束后进行审查和回复。

此致、

Juan Ospina

您好、胡萝卜、

寄存器似乎确认这与 DPM 相关。 移除 USB 后、您能否共享可能捕捉4.2V 稳定性的 VIN 波形？ 如果可能、还请将该波形与 VCSIN、VPMID 和 SW 波形一起包含在内。 是否有可能有电流通过 MOSFET？

如前所述、对于您共享的电容、VIN 电容器放电不需要太多的时间、因此预计 VIN 可能会有一些泄漏电流流入 VIN、该电流大约等于14uA 的 VIN 静态电流、否则电容器将相当快地放电。 施加轻负载(非常高的电阻)是否会导致 VIN 降至4.2V 以下？

此致、

Juan Ospina

大家好、 Juan Ospina

我共享了输入电压(Vbus)的波形。

似乎有重复回流到交流适配器和充电到电池。
连接1kΩ 负载后、输入电压降至4.2V 以下。

V_IN_PDM 中是否有迟滞、响应或延迟规格？

此致、

胡萝卜

Wave1：VIN (Vbus)和 VSCIN (Vbat)

Wave2：波形1右侧放大

波段3：VPMID 和 VSW 接近4.2V 的开始

您好、胡萝卜、

这似乎是降压行为。 此操作有时会在此器件上发生、尤其是在您断开较长适配器电缆或由于漏电启动电容器而导致的情况下。 您是否可以尝试稍微增大引导电容器以查看行为是否有所改善。

此致、

Juan Ospina

大家好、Juan Ospina

将自举电容器增加到470nF 并没有改善。 电缆长度为1m。 但交流适配器的内部是一个黑盒。 我会寻找另一种解决方案。

谢谢你。

此致、

胡萝卜