[参考译文] CSD25402Q3A：器件可以处理的最大功率、零点温度是多少？

Allen

感谢您考虑我们的器件、我注意到您在 GE 航空航天公司、我只想确保您知道这是一款商用器件、没有针对航空航天市场进行专门测试。

有一份应用手册对功率 MOSFET 的许多方面进行了介绍 https://www.ti.com/lit/an/slvafg3f/slvafg3f.pdf 、本文将我们的所有 MOSFET 技术文献组合在一个文档中。

请允许我来回答您的问题：

• 最大额定功率
  • 这位于产品说明书的第一页、当使用最大结温和 Rthjc 计算得出时、Rthja 为45°C/W、69W、功率为2.8W。 请参阅上方链接第1节中显示计算方式的连续电流额定值。 如果您正在寻找我们在应用中看到的典型功率损耗、那么文章"为您的应用选择正确的 MOSFET/电源块"给出了一些指导、说明我们在典型应用中看到的内容以及您可以从此封装中获得的预期结果。 对于该封装、它通常可以处理高达~2.5W 的功率。 请注意、所有 MOSFET 数据表中的热阻规格都在一定程度上是理想化的、当安装在 PCB 上时、需要考虑 FET + PCB 的总热阻、对于给定的功率耗散、PCB 的热耗散越差、MOSFET 温度越高。 主要问题是不能超过结温。
    
• 降额功率
  • 我不完全确定功率降额的含义、MOSFET 限值的功率耗散在数据表中、这些取决于器件的最高温度及其热性能。 上面的答案中提供了这些参数、没有其他功率损耗规格。
• 器件损坏时的温度
  • 器件的最高温度在数据表中注明、该温度为150摄氏度、器件可能会高于此温度、但我们不保证预期的性能和可靠性、且不能表示最大温度超过150摄氏度。
• 需要电压降额的温度。
  • 我不确定这里的问题、FET 的电压经过测试并保证在25摄氏度下工作。 像所有 MOSFET 一样、该电压会随温度的变化而有所不同。 在上面第4节的链接中、有一条有关" MOSFET 数据表中不包含什么内容..."的注释 "一个是针对温度变化、另一个是针对漏电时的电压变化。 请查看温度变化文章中的图3、了解 BV 如何随温度变化。
    
• R θ RθCB 结至电路板热阻。
  • 对于此 MOSFET、它是产品说明书第3页(2.3degC/W)中的 Rthjc、外壳是焊接到 PCB 上的外露焊盘。
• 零点温度
  • 如果功率损耗为零、则 MOSFET 温度将处于环境温度、而不会超出任何其他值。 为了提高结温、需要在器件中进行功率耗散。 唯一可能的温升可能是由泄漏电流造成的、但这些电流小到无法测量温度差异。

我希望这能解答您的问题

非常感谢

Chris Bull