[参考译文] LM5146-Q1：LM5146-Q1输出电压不稳定

尊敬的 Joseph：

感谢您发送快速入门文件。

是否在空载条件下以二极管仿真模式运行？ 如果是、请通过将 SYNCIN 引脚拉高来检查 FPWM。 我假设这里的问题是加载时的问题(在快速入门文件中输入了 Vout = 28V)。

下面是有关该设计的一些注意事项：

1. 降压电感非常低、可提供110%的巨大纹波电流(应为30-40%)。 从1.8uH 更改为4.7uH。
2. 检查 Cout 是否实际为440uF (因为陶瓷电容随电压显著降额)。 这很重要、因为它会影响补偿。 我看到 ESR 为1mΩ、因此我假设它不是电解电容器。
3. 无需150V 低侧 FET–100V 足以满足85V 最大输入电压规格。
4. TO-220和 D2PAK FET 具有高寄生电感、通常是技术较旧的器件。 考虑使用传统的100V 5 x 6mm 封装 FET (在 FET 选择和 PCB 布局放置方面、请参阅 LM5146 EVM 的参考)。 这将提供更高效的开关、尤其是在 Fsw = 500kHz 时。

如果问题仍然存在、请发送原理图和布局以供审核。

此致、

TIM

谢谢、Joseph。

布局看起来不会太糟糕。 我希望输入电容器与低侧 FET 的源极有良好的连接。

330µF / 35V µF 电容器将主导输出电容、因为22µF / 35V/X5R/0805电容器将显著降额(每个电容器可能仅几 μ F)。

请注意、330µF 是铝电解电容器、这会使稳定性复杂化、因为其 ESR 在冷条件下大幅增加。 最好使用具有稳定和较低 ESR 且额定电压为35V 的聚合物电解电容器。 如果您保留铝电子元器件、只需更新快速启动文件中的 ESR 条目、因为它将比1mΩ 高得多。 这肯定会对稳定性产生影响、而这也可能是这里的问题。

如果您看到更改带来的改进、请告诉我。  

此致、

TIM

简单地确认、在 FPWM 模式下、Vout 为10V、而在二极管仿真模式下变为27V？

这听起来像是一个稳定性问题、所以让我们首先优化降压电感器和输出电容。

Joseph、

ESR 不会直接并联显示、因为它还取决于串联的电容阻抗(因此有效 ESR 值随频率而变化)。

此文件可能很有用：

e2e.ti.com/.../2072.Parallel-Capacitors-Zct-LM5145.xls

您好、Tim：

  非常感谢您提供的支持、今天我决定检查您的所有输入并重点关注输出电容器和电感器、在相应地更改为4.7uH 电感器和相关电容器后、无负载时 Vout=28.5V、有负载时26-27.5V、我应该在开始时满足计算文件中的要求。

再次感谢您的专业指导。

Joseph

尊敬的 Joseph：

感谢您的更新。 但是、在 FPWM 模式下运行时、输出应良好调节、负载调节低于1%。

此致、

TIM