主题中讨论的其他器件： LM7480-Q1、 LM74722-Q1、LM74800-Q1
工具与软件：
您好、TI 专家！
我想设计一个接收两个不同电源作为输入的电路、并执行到负载电源路径的优先级排序。
第一个电源是55V 电源。
第二个电源是12节电池(42V-50.4V)。
我计划使用两个理想二极管控制器来控制电源路径并确定其优先级(如文章"采用理想二极管控制器、具有稳健反向电池保护功能的六种系统架构"-设计6所示)。
外部控制器可以向理想二极管控制器发送"启用/禁用"信号、以根据特定的逻辑来打开和关闭负载。
只要在理想二极管控制器中接收到"使能"信号：
只要电源连接到电路、该电路就需要从电源向负载供电。
电源断开后、电路应将电源连接到负载、使其来自电池。
重新连接电源后、电路必须将电源路径切换回负载、使其返回电源、而不是电池。
开关速度必须足够快、才能在负载的电源路径变化期间使负载保持活动状态。
一旦在理想二极管控制器中接收到"Disable"(禁用)信号、所有 MOSFET 都必须完全关闭负载。
注意： 有一个"Enable\Disable"信号来自外部控制器。
当发送了"Enable\Disable"信号时- 两个理想二极管控制器都接收到该 信号、因此只要发送了"Enable"信号、两个理想二极管控制器都在"EN"引脚上接收到该信号、但应根据我在上文中所述的方法对负载的电源路径进行优先级排序。
架构的概念方案：
其他信息和问题：
当系统(负载)将通过电源路径馈电时、连续电流不会超过5A (持续很长一段时间)、但当系统将通过电池路径馈电时、连续电流将达到大约250A (持续大约40秒)。
由于高电流通过电池到负载的路径、我必须再并联几个 MOSFET Q3和 Q4。
为了 快速导通和关断多个并联的 MOSFET、我需要一个具有最高栅极驱动强度的器件。
- 我知道我可以使用设计电路 LM7481-Q1 而不是 LM7480-Q1 如上图所示、对于更高的栅极驱动强度、
但可以做到 LM74722-Q1 栅极驱动强度、对吗？
我没有找到使用 LM74722-Q1的此类架构的任何参考设计、如果可以附加参考设计(如果有)、我会很感激...
从电源到负载的电源路径是低电流路径、MOSFET Q1和 Q2较小、不需要并联连接到额外的 MOSFET、就像从电池到负载的电源路径中的 MOSFET 那样。
- 两条路径之间 MOSFET 的差异是否意味着电池路径 MOSFET 的导通速度慢于电源路径 MOSFET 的关断速度、从而导致系统检测到电源不足、并在两个电源之间切换时暂时关断？
- 情况是否会如我所说的那样？ 是否有办法解决此问题？
另一件事：
我实际上不需要 OVP \ UVLO \ BATT_MON 等功能
我只需要对理想二极管控制器使用"启用/禁用"命令来控制系统的导通和关断状态
而当理想二极管控制器为"Enable"(使能)时、默认电压源将成为电源、只有在电源断开时、电池才会连接到系统(以足够快的速度连接到系统、从而使系统不会感受到电压源的变化)。
此外、我还需要反向电流保护、以便没有电流从电源流向电池、或从电池流向电源。
如果您能获得指导或参考设计的参考资料、我将不胜感激、
是否有一些必须实施的事情或一些不必要实施的事情？
设计电路时、是否需要注意一些事项？
我对电路的要求是否甚至可行？
如果您可以提供任何有助于我更正确设计电路的信息、我们将不胜感激
非常感谢！
NIV
