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[参考译文] LM61480-Q1：内部 MOSFET 详细信息

admin
Guru**** 2512425 points


请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1419585/lm61480-q1-internal-mosfet-details

器件型号：LM61480-Q1

工具与软件：

您好！

我们使用的是 具有400kHz 开关频率的 LM61480QRPHRQ1 (8A 型号)降压转换器。

请提供内部 MOSFET 的以下详细信息：

  • 上升时间和下降时间 以便计算 IC 的开关损耗。
  • MOSFET Rds (on) 8A 型号的典型值。

请提供 内部 MOSFET 参数。

提前感谢！！！

此致、

Nithya S.  

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    TI__Guru**** 2512425 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    你好

    FET 的 Rdson 如数据表所示、如下所示：

    FET 的开关参数是专有信息、不得披露。

    可以使用 Webench 设计工具确定稳压器的功率损耗

    谢谢

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    TI__Guru**** 2512425 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好！

    根据数据表中给出的参数、我可以计算导通损耗。 我需要计算 IC 的开关损耗。

    你可以 有助于计算开关损耗。

    此致  

    Nithya

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    TI__Guru**** 2512425 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    你好

    首先、使用效率计算总损耗。

    然后减去计算得出的导通损耗、结果将是开关损耗。

    谢谢