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[参考译文] TPS54550:低侧 FET 的总栅极电荷(Qg)

Guru**** 2434370 points


请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1421207/tps54550-total-gate-charge-qg-of-low-side-fet

器件型号:TPS54550

工具与软件:

您好、数据表中包含以下声明:

"总栅极电荷(Qg)必须小于50nC。 同样、Qg 越低、效率越高。"

这是否仅仅是为了确保 尽可能提高效率或由于击穿等其他问题?

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Alan:

    低于50nC 的总栅极电荷主要用于提高效率、并确保击穿。

    谢谢!

    Nancy