请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
器件型号:UCC28070 Thread 中讨论的其他器件:LMG3522R030-Q1
工具与软件:
您好!
在我的设计中、我计划使用 TI GaN LMG3522R030-Q1元件作为开关器件。
这些元件速度极快、恐怕电流变压器电感会产生高过冲。
我的担忧是否正确?
非常感谢
This thread has been locked.
If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.
工具与软件:
您好!
在我的设计中、我计划使用 TI GaN LMG3522R030-Q1元件作为开关器件。
这些元件速度极快、恐怕电流变压器电感会产生高过冲。
我的担忧是否正确?
非常感谢
Adrien、您好!
电流检测变压器(CT)(单圈)的初级电感为次级电感除以匝数比的平方。
例如、具有10mH 次级电感的100:1 CT 将在单个初级绕组上反射1uH 电感。
但大多数初级电流不会流经该电感。 几乎所有电流都流经反射到初级侧的负载电阻器。
初级电感中只累积很小的磁化电流(因为施加了伏秒)。
因此、初级电感中的能量含量非常小、即使 GaN FET 的 Coss 远低于 Si-FET、也不会大幅提高 GaN FET 的 Vds。 您可以根据传输到 GaN FET 的 Coss 所存储的电感器能量的均衡来计算更高的 Vds。
我认为霍尔效应传感器不是必需的。
此致、
Ulrich