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[参考译文] TPSM560R6H:反相降压/升压拓扑肖特基钳位二极管选择

Guru**** 2382390 points
Other Parts Discussed in Thread: TPSM560R6H
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1422458/tpsm560r6h-inverting-buck-boost-topology-schottky-clamp-diode-selection

器件型号:TPSM560R6H

工具与软件:

我将  根据应用手册 snva962在反相降压/升压拓扑中使用 TPSM560R6H。 本应用手册以及与 IBB 拓扑有关的其他几个应用手册建议在-Vout 和 SYS_GND 之间放置一个肖特基二极管:

"当 VIN 施加到电路时、CBYP 上的此 dV/dt 会产生一个必须的电流
返回到接地端以形成一个环路。 该电流可能会流过的内部低侧体二极管
和电感器返回到接地端。 对于这种情况、建议在之间放置一个肖特基二极管
–VOUT 和 SYS_GND..."

对于此拓扑、 WEBENCH 似乎不支持较新的模块、但其他 IBB WEBENCH 设计使用40V、1A 或60V、3A 肖特基二极管。 除了能够切断 GND 和-Vout 之间的电势外、我假设它只需满足 CBYP 充电所需的电流的额定值。 是否可以使用简单的方法来估算该值? 还有其他需要注意的事项吗?

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    Julian、您好!

    IBB WEBENCH 设计中所示的1A 或3A 二极管很适合。 通常没有具体的计算方法、主要是确保额定电压高于| VOUT |。  

    谢谢!

    Richard

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    谢谢 Richard。 我已经有一个由 BOM 提供的肖特基二极管、也适合此用途!