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[参考译文] BQ25750:48V 电池充电电路

Guru**** 2771175 points

Other Parts Discussed in Thread: BQ25750

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1411128/bq25750-48v-battery-charging-circuit

器件型号:BQ25750

工具与软件:

尊敬的 TI 团队:

我想请您的团队审查48V 电池盒的原理图。

1.电池类型(电池组/充电电压)

48V:锂离子(14S6P/58.1V)、锂离子(13S2P/54.6V)、锂离子(14S5P/58.8V)

2.系统负载

-最大300~500W

-典型150W

2.设计参数

-输入源(VAC):48V 典型值

- Fsw : 373kHz

-充电电压:57.24V

-电感:10uH

-最大输入电流:7A

-最大充电电流:7A

3.原理图

比较


供您参考

1.铝盖(C100&C132)为可选件(无 SMT)

2.为保护浪涌电流,我将在 BATDRV&ACDRV 的栅极添加 R-C 元件。

- R : 10欧姆, C : 10nF

请审查48V 电池充电盒的设计、并建议保护 IC 免受电池电压和浪涌的影响。

谢谢你。

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    Ben、您好!

    感谢您耐心等待。 很抱歉响应延迟。

    我将对此进行研究、并在一周结束时回复您。

    此致、
    埃森·加洛韦

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    Ben、您好!

    感谢您耐心等待。 我将在星期一回复您。

    此致、
    埃森·加洛韦

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    Ben、您好!

    感谢您的耐心。 原理图看起来不错。

    我们稍后会在电源路径中回复您。 您需要多长时间对此做出回应?

    此致、
    埃森·加洛韦

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    Ethan、您好!

    我意识到今天的原理图看起来不好... 作为该原理图、我已经制造了电路板。

    由于 BTST 未从 DRV_SUP 连接、它对降压/升压不起作用。 我猜到了 BTST 通过内部的器件连接至 DRV_SUP。

    我在 DRV_SUP 和 BTST 之间添加了二极管、它运行良好。

    无论如何、我将尝试使用57~58V 为48V 电池充电。 除了 R-C 栅极滤波器之外、您有什么建议吗?

    我已经准备好测试您对48V 电池充电的意见了。 我不希望器件损坏。

    谢谢。

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    Ben、您好!

    感谢您耐心等待。 9月17日至9月27日、我在度假。 我现在回到办公室。

    要在58V 电池电压下使用 BATFET、我们建议使用 NTMFSC4D2N10MC 等 FET。该 FET 具有高阈值电压。 对于 RC 值、我们建议 C=6.8nF 且169kΩ。 高阈值电压和 RC 值会减慢 FET 导通时间。 请注意、我们仍在验证此解决方案。

    我们还建议将 VSYS 和 VBAT 电容减小至80µF。

    如果您对此设置有任何疑问、请告诉我。

    不过、还有一种替代方案是使用 BATFET 为系统供电。 您还可以使用自动反向模式在移除 VAC 时为系统负载供电。 要使用自动反向模式、我建议将 ACUV 设置为略低于最小输入电压、将 SYS_REV 设置为最小系统负载电压、并设置 EN_AUTO_REV=1。 您还需要移除 BATFET。

    此致、
    埃森·加洛韦

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    您好 Ethan

    感谢您的评论。

    我认为"浪涌电流"在 BQ25750电路中有两种情况。  

    情况1是直接位于电池连接器上的 Al-cap。 VSYS 和 VBAT 线路上的总电容为 AL-CAP (68uFx2=136uF)+ MLCC (25uF)= 161uF。 我可以移除一个 AL-CAP、电容可以在使用 MLCC 直流偏置时约为80uF。 在这种情况下、我将直接移除放置在尽可能靠近连接器的位置的铝电容器。 它可以降低从电池到铝电容器的浪涌电流。 (备注:链接)

    情况1中的 SRP、SRN 端口是否会导致 Al-cap 烧坏或 IC 损坏等问题? 因为、情况1浪涌电流高于情况2。

    此时 CASE2处于 BATFET 导通状态。  我使用的板 BATFET ISC030N10NM6具有与您的注释类似的规格。 我将48V 电池连接到电路板时、没有出现故障。 并且我在没有任何系统负载连接的情况下使用了 C=10nF、R=10 Ω。 它看起来在开通时间很好地发挥米勒效应。 另外、我认为如果 R 值比您的注释169k Ω 更高、则在灌入电容器时电流会降低、这意味着米勒效应也会降低、浪涌电流会更高。

    您有什么理由应用高阻值电阻器?

    谢谢你。

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    Ben、您好!

    感谢您对此的评论。 我需要时间写下有关此问题的答案。 我会在一周结束前回复您。

    此致、
    埃森·加洛韦

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    Ben、您好!

    感谢您耐心等待、并感谢您为我们提供您的测试数据。

    1.我们正在考虑降低 BQ25750的总电容。 它仅需在输入和输出上均为80uF 即可工作。

    2.我们仍在努力验证这一解决方案。 我认为电阻越低越好。 我应该在下周晚些时候提供更多信息。

    此致、
    埃森·加洛韦

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    Ben、您好!

    感谢您耐心等待。

    从我们的测试中可以看出、电阻越低越好、8nF 至20nF 的电容值非常适合电路。

    此外、您的电路的电源路径功能看起来运转良好。 如果您有任何其他相关问题、请告诉我。 如果没有、我可以将该线程标记为已解析。

    此致、
    埃森·加洛韦