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[参考译文] CSD22202W15:此零件是否特别容易与 QUOT;CASE"

Guru**** 2379910 points
Other Parts Discussed in Thread: CSD22202W15
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1421386/csd22202w15-is-this-part-especially-vulnerable-to-physical-or-electrical-contact-to-the-case

器件型号:CSD22202W15

工具与软件:

我们已经看到这个部件的许多失败;我试图找出原因。

我注意到封装似乎是裸硅。 我知道一个事实、在探测元件附近时、I 发明了一个小角、这立即导致了故障、其中 FET 的泄漏显著增加(但不是死短路)。 我也不知道该怎么说。

这让我想到了。 显然、该 器件比大多数元件更脆弱。 但它是否也容易受到电接触的影响? 也就是说,不是对球,而是对外壳本身;因为基材是暴露的。

更正式地说、我们是否需要采取特别的预防措施来避免这类芯片的封装受到接触? 例如、如果将其暴露在抗静电亚光板背面、是否可能损坏? 对于大多数封装、答案是否定的 器件外部是否是电绝缘体?

如果这是已知风险、器件周围的保形涂层或某种环氧树脂是否是推荐的解决方案?

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    Drew、

    首先、感谢您使用我们的器件。

    您说的是 CSD22202W15确实是裸硅裸片、因此在处理此封装时要小心。

    在下面的应用手册 I 列表中、列出了网络上的所有 MOSFET 技术内容:

    www.ti.com/lit/an/slvafg3f/slvafg3f.pdf

    在第3节中、有一份 WCSP 处理指南和 DSBGA 晶圆级芯片级封装文章 、希望这些文章会很有用。

    由于暴露的"情况"是裸硅,在这种情况下,它是在源电位。 这是因为我们使用基板(源极)传导电流过裸片、然后使用烧结在一侧提供所有连接。

    至于环氧树脂或保形涂层的建议、我需要询问 TI 是否有任何建议。 我会尽快回到你,如果有或没有任何建议。

    此致

    Chris Bull

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    这是很好的信息。 非常感谢!

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    您好、Drew:

    我们的 SMT 专家经过审查、TI 没有关于保形涂层的具体建议。 客户需要评估和鉴定保形涂层流程。 如果客户进行了任何研究、TI 将提供审查并提供反馈。

    谢谢!

    约翰·华莱士

    TI FET 应用