工具与软件:
我们已经看到这个部件的许多失败;我试图找出原因。
我注意到封装似乎是裸硅。 我知道一个事实、在探测元件附近时、I 发明了一个小角、这立即导致了故障、其中 FET 的泄漏显著增加(但不是死短路)。 我也不知道该怎么说。
这让我想到了。 显然、该 器件比大多数元件更脆弱。 但它是否也容易受到电接触的影响? 也就是说,不是对球,而是对外壳本身;因为基材是暴露的。
更正式地说、我们是否需要采取特别的预防措施来避免这类芯片的封装受到接触? 例如、如果将其暴露在抗静电亚光板背面、是否可能损坏? 对于大多数封装、答案是否定的 器件外部是否是电绝缘体?
如果这是已知风险、器件周围的保形涂层或某种环氧树脂是否是推荐的解决方案?