[参考译文] CSD19538Q3A：IC 信息查询

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请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

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器件型号：CSD19538Q3A

工具与软件：

你(们)好

如下图所示、CSD19538Q3A 规格仅在 ID = 5A 时提供 RDS (on)至 VGS 的变化。

但是、由于客户将此 MOSFET 应用于 TI PoE 解决方案、因此最大电流值不超过1A。
我想请您提供 MOSFET CSD19538Q3A 在 ID = 1A 时的 Rds (on)与 VGS 特性曲线。
如果您有其他温度曲线、请向我提供。这些信息对客户非常重要。

谢谢！

Boyan

11 个月前

0 admin 11 个月前

TI__Guru**** 2390735 points

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您好 Boyan：

感谢您的咨询。遗憾的是、我们在其他 ID 值上没有任何 RDS (on)与 VGS 数据。从我所看到的来看、RDS (on)对于 ID 而言相对平坦。由于器件的自发热、因此在较高 ID 下 RDS (ON)可能会有所增加、因为 RDS (ON)会随温度的升高而增加。对于数据表中的曲线、此测试中使用了脉冲电流、以更大限度地降低自发热的影响。此外、VDS 会随着 ID 的增加而增加、直到 FET 不再在线性(恒定电阻)区域中运行并进入饱和状态(ID 不再随着 VDS 的增加而增加)。您可以在图2的饱和特性中看到这一点。在较低的 VDS IDS/IDS 值下、曲线几乎是线性的、但在较高的值下、曲线开始变平。为什么客户需要此信息？ TI 仅保证 RDS (on)在数据表条件下指定并在生产中进行测试。与5A 相比、1A 时的 RDS (ON)应该没有显著降低。请记住、所有 TI 80V/100V FET 都需要 VGS≥6V。不能在较低的 VGS 值下保证或测试 RDS (ON)。如有任何其他问题、请定期与我联系。

此致、

约翰·华莱士

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