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[参考译文] LM7480-Q1:适用于48V 系统的 LM7480-准性能

Guru**** 2422790 points
Other Parts Discussed in Thread: LM7480-Q1

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1423889/lm7480-q1-lm7480-feasiblity-for-48v-systems

器件型号:LM7480-Q1

工具与软件:

您好!

我想确认理想二极管控制器 LM7480-Q1是否可用于48V 汽车系统?

我已参考数据表 LM7480-Q1具有负载突降保护功能的理想二极管控制器数据表(修订版 C) 、并计划根据图10-25应用图使用该电路。

您能否澄清以下几点。

1)我需要52V 的输入反向电池保护、这意味着 图10-25中的二极管 D4需要更换。 在本例中、D4所需的额定电压是多少。

2)输入端的瞬态电压(负载突降)可上升 至70V 并持续40ms。此电路是否能够满足此要求?

3)输入电压标称范围是36-52V、但应 高达60V 并持续1小时、如果我选择60V 的 D1、这是否可以。

4)在数据表示例中、选择了 Q1用于200V MOSFET (我理解这是用于负载突降保护)、而 Q2的额定电压为60V。为什么?

谢谢。此致、

Reshma

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    尊敬的 Reshma:

    取决于系统中的瞬变水平。 如果瞬变没有超出器件额定值、则可能根本不需要任何二极管。

    2.是的,这是可以实现的。 您只需要调整 OV 梯形、以免违反器件额定值。

    3、是的,只要齐纳的额定功率没有被违反。 串联电阻 R1用于最大程度地降低功率耗散。

    4.这是因为 Q1 FET 将在 OV 引脚的帮助下阻止任何大于60V 的电压。 仅借助 OV 引脚支持负载突降保护。

    此致、

    Shiven Dhir

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    尊敬的 Shiven:

    关于二极管 D4。我的  应用需要52V 的输入电池反向保护。这意味着需要 更换图10-25中的二极管 D4。 在本例中、D4所需的额定电压是多少。 (如果钳位电压需要小于65V 的绝对最大值并且击穿电压需要大于52V、则无法找到 TVS 二极管器件)

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    尊敬的 Reshma:

    D4用于保护控制器和 FET 免受负瞬态的影响、瞬态电压可能高于-65V 或可能对 FET 的 VDS 产生压力。 是否有任何瞬变可以对您的系统执行相同的操作?

    如果没有、则不需要任何 TVS。 -52V 是控制器可以承受的,无需任何支持组件。

    此致、

    Shiven Dhir