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[参考译文] BQ76952:BQ76952 DSG 引脚功能问题

Guru**** 2391845 points


请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1417325/bq76952-bq76952-dsg-pin-functionality-issue

器件型号:BQ76952

工具与软件:

在短路期间、我面临以下问题:

第一个问题是 AFE 在放电至短路阈值以上时重新启动。 (短路检测)

例如、如果我将 SCD 值设置为80A、当我应用90A 负载时、AFE 将重新启动。

第二个问题是 AFE 未能检测到直接短路(PACK+和 PACK -彼此短接)、或者检测时间非常长、而 AFE 无法通过在30-40us 范围内关闭 DSG 引脚。

我已经探测了 AFE 的 DSG 引脚、同时执行直接短路、DSG 引脚的关断时间非常长、在1ms 到5ms 之间。

我还连接了短路期间的 AFE 波形。 (BQ76952 AFE 问题)

我已经使用了 应用手册《采用 BQ769x2电池监控器、适用于高侧 MOSFET 的多 FET 器件》中提到的电路。

现在、我仅并联使用3个 MOSFET、但仍然面临这个问题。

我之前提出过这个问题、但之前 TI 团队向我推荐了一个文档、现在我已经重新设计了 PCB 并根据文档更改了原理图、但我仍然面临这个问题。

请安排您团队的电话、他们可以提供并指导我尽快解决此问题。

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Hitesh:

    我们已经看到、SRP 和 SRN 引脚上的瞬变会使它们超过绝对最大额定值、从而导致 AFE 重新启动。 我们建议在这些引脚上放置0.1 μ F 电容器、以帮助抑制这种噪声。

    此致、
    Alexis

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    如图所示、我们之前使用了 C78和 C79 1nF 去耦电容器、但现在我们必须将值更改为220nF。
    由于高电容、它可能会导致任何问题?

    https://webberecpt-my.sharepoint.com/:i:/g/personal/hitesh_jangra_webberec_com/EYPjUh5TmHZOpW_gInbTrygBj8oM1w_cNMpVSGVjKTixyw?e=zvDrCD

    此外、DSG 引脚信号不会立即下降、因此在短路期间、流经电容器的峰值电流为900A 至1500A。
    DSG 引脚的上升时间为30us。 MOSFET 关断时间为15-20us。
    请指导我减少此问题、以免损坏 MOSFET。

    https://webberecpt-my.sharepoint.com/:i:/g/personal/hitesh_jangra_webberec_com/EUYnHy0vQ8FKk8cFYjNJCigBUg2tRea-eFAfl3JeYBn6ZQ?e=BkqGyu

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    还有一点、在通过 BMS 以60A 放电1小时后、我再次进行短路测试、更新后的配置失败了。 此问题无法解决、它显示了相同的行为。

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    您好、Hitesh:

    去耦电容器过去使用的是0.1uF。 它可能会使响应时间稍微变慢、因为会有一个更高的 RC 时间常数。 但是、我们以前没有看到这是一个很大的问题。 您是否尝试过使用0.22uF 进行此测试?

    您能解释一下显示的波形是什么吗?

    FET 在测试过程中的波形是什么? 哪个 FET 会损坏? 只使用 DSG FET?

    短路期间的 FET 损坏可能有多种原因、此处是一个讨论以下主题的 E2E:

    此致、

    Luis Hernandez Salomon

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    我已经在初始阶段使用0.22uF 和1uF 进行了测试、它将通过短路测试、但在 DUT 在1小时对60A 负载放电后、它在短路测试中失败。

    我要展示的波形是 MOSFET 栅极电压 Vgs、我无法理解 DSG 信号上升时间为什么为30uS、我甚至将电荷泵电容器从1uF 更改为100nF、但 AFE 的 DSG 信号没有明显改善。  

    DSG 引脚和 D-MOS 放电信号表现出相同的行为、两者均显示30us 的上升时间、然后关闭 BMS 的 D-MOS。
    我已经讲过  E2E  、如何调试由于短路测试而导致的 FET 故障 、但没有任何帮助。

    此外、我们是否可以在串联 SRP 和 SRN 中使用铁氧体、而不是在 R32和 R46中使用100 Ω?

    请安排通话、以便清除所有疑问。

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    您好、Hitesh:

    我不明白1小时和初始测试之间的区别是什么。  

    • 您是否有并排显示初始阶段以及一小时放电测试后行为的波形?
    • MOSFET 的下降时间将取决于关断电路。
      • 您是否使用了本地关断电路?
    • 您是否有 DSG 电路原理图?
    • 损坏了哪个 MOSFET? 这里是否有有关故障的更多详细信息?

    铁氧体磁珠可与100 Ω 电阻器串联使用、以便进一步滤波。 我根本不会移除100欧姆的电阻器。

    此致、

    Luis Hernandez Salomon

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    因此、我要求安排与您的团队进行沟通、以便我向您展示我们的原理图和 PCB 文件、并帮助我们找出 PCB 或原理图存在的问题。

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    您好、Hitesh:

    接受我的请求后、请通过 DM 分享您的原理图和 PCB。

    此致、
    Alexis

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    我在聊天中共享了数据、请仔细阅读。

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    您好、Hitesh:

    感谢您共享您的文件。 请给我的团队成员和我一些时间来审核。

    此致、
    Alexis

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    您好、Hitesh:

    关于您有关缩短 FET 时间的问题、之前在论坛上发布的博文 BQ76952 DSG MOS 开启延迟过长可能可以帮助您提供更多信息。  

    此致、
    Alexis