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[参考译文] LM5190-Q1:LM5190-Q1疑问

Guru**** 1791630 points
Other Parts Discussed in Thread: LM5190
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1427508/lm5190-q1-lm5190-q1-doubts

器件型号:LM5190-Q1
主题中讨论的其他器件:LM5190

工具与软件:

  在进行设计之前、我们需要做一些说明。  
IC 说它可以为栅极驱动提供2.5A 电流、但封装 较小、因此我们是否需要单独的栅极驱动器 IC 来驱动顶部和底部 MOSFET?
2.顶部和底部的 IC 死区时间很小、为21ns、可能会导致击穿。 如何处理它。
3. IC 需要电流感应的高侧感应,感应极限是60mV,这是太低的,使用分流感应将很难满足噪声 问题。 我们是否需要基于运算放大器的滤波?
4.我们需要在 ISET 引脚上为 CC 模式提供模拟电压。 请检查。
5. IMON/ILIM 用于监控负载电流、并可用作 MCU 的感应器。 请检查。
6.在 BIAS 引脚上、我们可以提供输出电压、以绕过 VIN 引脚、获得 IC 的内部工作电压。 请检查。
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    您好、Muzammil  

    不可以、LM5190提供两个 MOSFET 驱动器。 您无需使用栅极驱动器 IC

    2.无需担心。 LM5190提供自适应死区时间功能。  

    3.通常情况下、可以使用2mΩ 检测电阻。   

    4.是的、CC 模式调节目标由 ISET 引脚电压控制  

    5.是的、如果我们假设电感电流=负载电流。 IMON 电流与电感器电流成正比。   

    6.是的,如果 VOUT 大于 VBIAS-TH

    - EL  

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    2.我们观察到具有 Ciss 5nF 的 MOSFET 中发生了击穿。 具有较高连续漏极电流的 MOSFET 通常具有高 Ciss、我们的 MOSFET 也是高电流应用。 这是否会导致任何问题? 如何解决这一问题、以免发生击穿?

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    您好、Muzammil

    • 请并联 HO-SW 布线、也要并联 LO-GND 布线。  
    • 请将 MOSFET 放在靠近 IC 的位置。
    • 请避免纵横交错的栅极布线(HO 和 LO)。
    • 请至少使用4层 PC 板、以便可以有一个接地屏蔽层。  

    - EL