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[参考译文] LMG1210:CAN##39;t 完全打开 GaNFET

Guru**** 1821780 points
Other Parts Discussed in Thread: LMG1210
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1427552/lmg1210-can-t-fully-turn-on-the-ganfet

器件型号:LMG1210

工具与软件:

大家好!  

我最近使用 LMG1210和 GAN7R0作为开关、构建了一个用于电机驱动器的半桥。 下面是我们的原理图:  

问题是、输出驱动器非常完美、可在黄色信号(Vp = 4.8V)上看到。 但是、开关节点与 GND (红色信号)之间测量的电压表明 FET 未完全导通、而低侧 FET 上有数百毫伏的电压。 该降压电压与 Vbus 成正比增加。 当我增大或减小频率时、该滴电压也相同。  

上图是在以下条件下捕获的:

  • VBUS = Vin = 12V
  • 负载= 20 Ω(电阻)
  • 频率= 20kHz。

因此、有一条建议将受到高度赞赏。  

谢谢大家。

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好!

    流经晶体管和感应电阻器的电流是多少? 低侧 GaN FET 下面的检测电阻可能会升高源极电压并降低晶体管上看到的 VGS 电压、从而导致 FET 无法完全导通。

    栅极驱动器的 VSS 可能需要连接到检测电阻上方的低侧 GaN FET 源极。

    谢谢!

    Walter

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    您好、Walter、

    感谢您的回答。 我确实同意您的观点、栅极驱动器的 VSS 应该直接连接到电源、这是我的错。 不过、看看栅极信号(黄线)通过查看米勒平坦区后的稳定输出、使 FET 充满电。 这大约为~4.8V、在他们测试的数据表上、在5V 时可实现最低的 RDS ON。  

     我最近刚刚使用2个不同的基准测量了 Vgs、第一个基准直接连接到源、第二个基准连接到 GND。 结果与上图相同。  

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    您好!

    检测电阻可能会影响测量。 低侧电流感应电阻器的电压是多少?电阻器的尺寸是多少? 它是0.01欧姆吗?  

    您是否尝试过替换 FET?

    谢谢!

    Walter

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    您好、Walter、

    是的、是0.01欧姆。 我将替换为其他类似新 FET (仍然是相同类型的 GAN7R0)。 但结果是相同的,没有什么不同。  

    目前、我要更改布局、使 VSS 直接连接到 LowSide FET 的源极。 我来告诉你,当它完成了。