请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
器件型号：LM1117 工具与软件：
嗨、团队：
客户使用 LM1117I、Vin=7V、Vout=5V、Iout=0.6A。 它们测试 IC 外壳的温度是70℃、、但 Vout 会快速降至0。
我有2个问题：
- 这是否会触发过热关断？
- 如何计算 Tj、您能帮助给出公式吗？ 使用哪个热阻？ 42.5°C/W 或2.9°C/W？
祝你一切顺利。
Leo Ma
工具与软件：
嗨、团队：
客户使用 LM1117I、Vin=7V、Vout=5V、Iout=0.6A。 它们测试 IC 外壳的温度是70℃、、但 Vout 会快速降至0。
我有2个问题：
祝你一切顺利。
Leo Ma
尊敬的 Leo：
1.在您提到的工作点、功率耗散为1.2W。 是否达到热关断取决于环境温度和工作点之前的外壳温度(如果在器件上挥发热风枪、则这可能与环境温度不同)。 功耗为1.2W 时、DCY 封装的结温上升至高于环境温度的74°C。 如果环境温度高于76°C、器件可能会进入热关断状态。 有关此主题的更多详细信息、请查看数据表中的第9.5.1.1节。
如果 Vout 快速降至0、我假设是输出端接地短路。 该器件遵循砖墙式电流限制方案、如数据表的图7-2所示。 IOUT 将激增至等于 Vout/R_DS (导通元件)的值、其中 R_DS 是发生短路事件之前导通 FET 的漏源电阻。 电流限制不是瞬时的、并且在短路电流限制生效之前需要经过几微秒的延迟。 此时 Iout = 1.2A、功率耗散为8.4W。 器件将进入热关断状态。
2.正确的公式是 
功率是功率损耗。 然而、 RθJA 不仅是封装的可变函数、而且是许多其他系统级特性(例如安装器件的印刷电路板(PCB)的设计和布局)的可变函数。 另请注意 
。
如果您有 外壳温度、就可以计算出上面的两个等式。
此致
Ishaan
