[参考译文] TLV1117：散热

您好、Nick。

感谢您的快速回复。 是的、我完全忘记了在计算中添加最大单位温度。  我不是不使用开关稳压器、而是知道有任何 RθJA 较低的线性稳压器。  如果不能、您对不需要大量组件的开关稳压器有任何建议。

谢谢

尊敬的 Amir：

您是否考虑过 TLV1117的 KTT 封装？ 它的热性能比 DRJ 封装高约28%、虽然它更大一点。 您将看到、当您希望从低40s 或30s 的 RθJA 到20s (C/W)实现更好的热性能时、趋势是封装将变大。 KTT 是热性能最佳的产品之一。  

我已经浏览了我们的产品系列、但在 KTT 封装中看不到比 TLV1117更适合您的应用条件。  

此致、

Nick

谢谢 Nick。

我已决定 根据计算结果使用 DFN 封装。我需要的最大电流为0.1A、这使得温度最坏情况(在40°C 时)为78.3C、也就是低于125°C。  但我对该器件的布局有疑问

-下面的陈述是什么意思,(数据表第25页),我需要做任何具体的事情。  

-您是否有 QFN 封装的布局指南。 特别是在输出电压上增加更多铜以降低结温。

谢谢

尊敬的 Amir：

我决定使用 DFN 软件包

您是否是指 DRJ (QFN)封装最初预期？ 下面的数学公式表明了这个软件包。  

[报价 userid="377821" url="~/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1429505/tlv1117-thermal-dissipation/5480753 #5480753"]-以下陈述的含义是什么(数据表第25页)、我需要做什么具体的事吗？  [报价]

这种声明指出、这种封装在底部有裸露的金属焊盘、应该焊接到电路板上的外露焊盘上、因此要回答您的问题、您需要专门这么做来满足散热要求。  

[报价用户 id="377821" url="~/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1429505/tlv1117-thermal-dissipation/5480753 #5480753"]

- QFN 封装的布局指南。 特别是在输出电压上增加更多铜以降低结温。

[报价]

一般而言、连接到每个引脚的覆铜有助于从器件吸收热量、但迄今为止、主要贡献者是连接到散热焊盘的 GND 覆铜、因此将覆铜延伸到散热焊盘之外将 有助于显著提高热性能、此外、使用散热过孔将散热焊盘连接到内部 GND 层(我假设您只有1个 GND 层和4层电路板)将有助于提高热性能。  

此致、

Nick

您好、Nick。

问题是散热焊盘未连接到此芯片中的 GND、散热焊盘连接到 Vout。

下面是4层电路板的位置

信号/接地
2.GND
3. VCC
4.信号/接地

谢谢

尊敬的 Amir：

我漏掉了这个细节(只有旧设备能做到这一点)、很抱歉。 在这种情况下、是的、您是正确的、应在电路板受限的情况下尝试向 VOUT 网络添加尽可能多的铜。 我不确定该器件的热指标是如何仿真的、因为大多数器件的散热焊盘连接到 GND、而热指标是在假设散热焊盘通过过孔连接到内部 GND 层的情况下进行仿真的。 我可以让我们的热建模团队了解他们是否对此有任何见解。

此致、

Nick

您好、Nick。

谢谢、如果您的团队有任何最新动态、请告诉我。  

尊敬的 Amir：

热建模工程师表示、除非明确规定散热焊盘未连接到内层、否则很可能是这样。 因此、VOUT 网(包括散热焊盘)可能连接到内部 PWR 层。 如果您可以在电路板上使用某些 VCC 层作为 VOUT 网、这将有助于散发热量。  

此致、

Nick