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[参考译文] BQ76200:栅极振荡电阻器

Guru**** 2387080 points
Other Parts Discussed in Thread: BQ76200, BQ76952
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1431238/bq76200-gate-oscillation-resistor

器件型号:BQ76200
Thread 中讨论的其他器件: BQ76952

工具与软件:

大家好、团队成员:

我想了解如何将 BQ76200与多个充电和放电 FET 配合使用。 对此、我有几个问题。

1)从随附的图像中、在读取 FET 驱动器之后、我的理解是使用位于 CHG/DSG MOSFET 栅极上的电阻器/电感器来避免振荡。 如何为不同选择的 MOSFET 选择电阻值?

2) 2)从 BQ76952 多个 FET 以及 BQ76952、BQ76942电池监测器(修订版 A)中阅读应用手册后 、MOSFET 的栅极使用的电阻/电感器为51欧姆(请参阅随附的图像)。 您能解释一下这些值的选择吗?

非常感谢、此致、
Criton


 

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    您好、Criton:

    [报价 userid="624327" url="~/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1431238/bq76200-gate-oscillation-resistor ]1)从随附图片中删除、在读取 FET 驱动器之后、我明白电阻器/电感器位于 CHG/DSG MOSFET 的闸门上以避免振荡。 如何为不同选择的 MOSFET 选择电阻值?[/QUOT]

    没有定义的最佳方法可以选择它。  当 行业文献对此进行描述时、通常建议使用至少为总电阻10%的单独小栅极电阻或使用铁氧体磁珠来隔离栅极、以抑制振荡。

    我们在这些类型的 FET 驱动系统中使用了10至100欧姆的电阻。 单个栅极电阻越高、发生振荡的可能性就越小、但它将增加开关速度的延迟越长。

    [报价 userid="624327" url="~/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1431238/bq76200-gate-oscillation-resistor ]2)阅读 BQ76952 多 FET 及 BQ76952、BQ76942电池监控器(修订版 A) 的应用手册后、MOSFET 的栅极使用的电阻/电感为51欧姆(请参见随附的图片)。 您能解释一下这些值的选择吗?

    我不知道有什么特别的原因。 以下 E2E 帖子在此处可能也很有用:

    e2e.ti.com/.../3900591

    此致、

    Luis Hernandez Salomon

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    尊敬的 Luis:

    非常感谢您的联系。  

    没有明确的最佳选择方法。  如果在 行业文献中对此进行了描述、通常建议使用至少为总电阻10%的单独小栅极电阻或使用铁氧体磁珠来隔离栅极以抑制振荡。

    您能否说明一下、它在所连接的并联 MOSFET 总电阻中所占的10%吗?  

    非常感谢
    Criton

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    您好、Critton:

    这通常表示 驱动器的电阻。 我见过一些文档说负载电流是20%、另有10%。 没有为其定义规则。  

    此致、

    Luis Hernandez Salomon