请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
器件型号：LM5060 工具与软件：
Dears、
我的客户端在控制器项目中使用了 LM5060。 OVP 保护点设置为49V。 在测试过程中发现、当触发 OVP 时、MOS 栅极端的电压将加载80mA、导致 G END 直接下降至0。 然而、由于在 MOS 源端存在电容、电压缓慢下降、导致 MOS Vgs 之间的负电压超过限值和 MOS 损坏。
查看 LM5060数据表后、客户在 MOS GS 两端添加了一个二极管用于电流放电。 如下图和随附的 PDF 电路图所示。
目前的问题如下：
在此状态下触发 OVP 时、电容器后端的能量将由 LM5060的80mA 内部负载消耗。 此时、LM5060需要承受4W 的最大功耗和约15ms 的2W 的平均功耗。 由于 LM5060的热阻为 LM5060/W、请确认162.1℃ 是否能够承受这一瞬时功耗、以及它是否会导致过热或其他故障？ 如果无法承受、TI 是否针对该器件的后端电容器推荐了任何其他放电电路？
2.客户增加了一个肖特基二极管后、在高温情况下二极管漏电流太大、导致 MOS 无法正常驱动、后端断电。 在60°C 条件下的实际测试中、肖特基二极管漏电流为18uA、接近于 LM5060栅极引脚的驱动能力。 您能否确认数据表中是否有二极管 D5的推荐规格模型？
e2e.ti.com/.../LM5060_3575EF8DFE56_.zip
请参阅随附的原理图
非常感谢
Arabella
