[参考译文] CSD88539ND：我们可以将其与 LTC4365IDDB 一同使用吗

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Other Parts Discussed in Thread: CSD17318Q2, CSD88539ND, CSD85301Q2

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https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1436644/csd88539nd-can-we-use-this-along-with-ltc4365iddb

器件型号：CSD88539ND
主题中讨论的其他器件：CSD17318Q2、、 CSD85301Q2

工具与软件：

你(们)好

我们在设计中使用 LTC4365IDDB#TRMPBF 来实现过压和欠压保护。我们需要选择 Vin 为5V 的外部双路 MOSFET。

数据表中建议的器件型号如下所示、但已经过时。我们想知道我们是否可以使用该 TI 器件。请告知我们 Vgs th 范围和其他电气参数是否适合用于 LTC4365。

下面是 LTC 数据表的一个片段、在选择 MOSFET 时需要考虑使用该代码片段。

1 年多前

0 admin 1 年多前

TI__Guru**** 2652575 points

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您好、Prema、

感谢您关注 TI FET。 CSD88539ND 不是本应用的正确选择。对于5V 输入和输出、LTC4365栅极驱动电压是3.6V 的典型值。 CSD88539ND 要求栅极驱动电压≥6V。 TI 建议与 SI7940DP 的交叉产品是采用2x2mm SON 封装的2 x CSD17318Q2 30V 单分立式 FET。则需要使用其中的2个器件。如果您可以使用更高的导通电阻、则 CSD85301Q2、20V 双共源可能是替代方案。如果您有任何其他问题、敬请告知。

此致、

约翰·华莱士

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