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[参考译文] TPS7A05：TPS7A0533PDQNR：也存在此 LDO (没有&quot；Active Discharge & quot；function？)

admin
Guru**** 2387060 points
Other Parts Discussed in Thread: TPS7A05, TPS7A03, TPS7A02, TLV707
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1427470/tps7a05-tps7a0533pdqnr-this-ldo-exist-also-without-active-discharge-function

器件型号：TPS7A05
主题中讨论的其他器件： TPS7A03、 TPS7A02、 TLV707

工具与软件：

尊敬的先生或女士：

有一个问题、因为我在数据表中看到、按照11.1.2章中有关订购代码的说明进行了器件命名规则：

是否在没有"有源放电"的情况下存在此文章？ 订购代码中包含"P"作为该功能的可选部件。 但我找不到没有"P"的文章"TPS7A0533DQNR"。  

如果未提供：该 LDO 是否存在其他指定？ 或者你可以提供一个替代方案?

事先感谢。

此致

Wolfgang Walter

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    您好、Wolfgang、

    我认为这是一个拼写错误；所有 TPS7A05器件都具有有源下拉特性。 如果我理解正确、您想要的是具有类似规格但没有输出放电功能的器件？ 哪些规格对您的应用很重要？

    此致、

    Nick

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    TI__Guru**** 2387060 points
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    您好、Nick。

    感谢您的快速回复。 你是对的。 在我的应用中、有趣的是使用具有其规格的相同 LDO、而不具有放电功能。 尤其是这种小型封装从兴趣开始！

    因此、如果 TPS7A0533PDQNR 无法不带"P"来提供、您可以给我一篇包含此类 DQN 封装和3.3V 的替代文章吗？  在现有设计中只需替换 LDO、这对我们来说是有利的。

    非常感谢。

    此致

    Wolfgang Walter

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    您好、Wolfgang、

    我们没有任何具有相同规格但没有有源放电的器件、尤其是 TPS7A0X 系列(TPS7A02、TPS7A03、TPS7A05)具有的超低 IQ。  TLV713 和 TLV707是最接近的器件、它的版本不具备 X2SON (DQN)封装中附带的有源放电功能。

    您的应用中是否存在使有源放电功能不可取的限制？  

    此致、

    Nick

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    感谢您的快速回复。 我认为 TLV707系列对我们很有趣。 这将是使用 TLV70733ADQNR 的替代方法。  

    实际上、我们有一个应用不适合有源放电。 如果电源出现意外压降、应在系统中尽可能完成/完成所提供的数据保存过程。  

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    TI__Guru**** 2387060 points
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    您好、Wolfgang、  

    我明白了。 我很好奇、电源树输入端的一个简单二极管是否会阻止稳压器输入与主电源一起在足够长的时间内同样完成数据保存过程？ 则可以使用 IQ 消耗低得多的 TPS7A05。 当然、我对您的系统不太了解、因此该建议可能关断、但有源放电电路仅在输入电压低于 UVLO 阈值或 EN 信号拉至低电平时才起作用、 而且、由于您使用的是3.3V 版本、在超过 UVLO (下降)限制时(如果 EN 连接到 IN、UVLO 将在 EN 之前跳闸)、器件将已经处于压降状态、而当输入下降时、将会有从输出到输入的反向电流、不管怎样都会对输出放电。 如果有二极管、至少稳压器输入将保持更长的时间、这有助于将此情况的影响降至最低。  

    此致、

    Nick

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    TI__Guru**** 2387060 points
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    你好、Nick Butts。

    感谢您的想法。

    还有一个与推荐的 TLV70733ADQNR 相关的问题。 输出电容是否存在限制？ 我们只想使用上述情况的200µF 原因、以便执行数据保存过程。 我们希望保持存储过程尽可能长的关闭时间、以便仍然可以保存足够的数据。

    我找不到任何提示。

    谢谢、此致

    Wolfgang Walter

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    TI__Guru**** 2387060 points
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    您好、Wolfgang、

    数据表没有提到最大输出电容、并指出只需要"至少"0.1uF 的有效电容。 对我来说、这意味着没有上限、200uF 应该没问题。  

    现在对于希望保持输出足够长的时间以完成数据保存过程的问题、我想指出如果输入快速崩溃、导通 FET 的体二极管将导通、输出电容器无论如何都会快速放电。 此外、如果输出有一个很大的电容器、则通过体二极管的电流会非常大且不受限制、并且器件可能会损坏。 因此、我认为您的选择将受到一些限制、因此可能有必要使用二极管解决方案。 在我看来、最简单的解决方案是使用2个二极管(一个额外的二极管连接到我之前提到的二极管)：一个从 OUT 到 IN、一个在 LDO 解决方案之前的输入端。 这将防止体二极管吸收电流、保护 LDO、并防止输出通过低阻抗路径放电。

    此致、

    Nick

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    TI__Guru**** 2387060 points
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    您好、Nick。

    感谢您的详细解释。

    您是对的、我将使用输入端的额外二极管来保护整个系统。 尤其是现在、我还可能具有足够高的 Voltage、因此与二极管的正向电压无关。

    此致

    Wolfgang Walter