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[参考译文] BQ25798:VSYS 延迟800ms

Guru**** 2528630 points
Other Parts Discussed in Thread: BQ25798

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1437834/bq25798-vsys-is-delayed-800ms

器件型号:BQ25798

工具与软件:

您好!

我使用带适配器和1节电池的 BQ25798。

我的设置中没有电池、并插入适配器(VIN=7V)。 我看到 VSYS 电压在从 VIN 800ms 后存在。 看我的屏幕截图

我在硬件设计上犯了一个错误:配置必须是"一个 ACFET-RBFET"(即 VAC2连接到 VBUS ),但错误的是, VAC2连接到 VIN,如红色原理图所示:

您是否解释了 VIN 和 VSYS 之间的800ms 延迟?

此致

Eric

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    Eric、您好!

    我不这么认为、但我还没有尝试过这种配置。  我假设您没有连接电池?  V (SYS)= V (BAT)、除非您的 shipFET 低于 BAT_UVLO~= 3.5V。  无论如何、启动延迟也不是意外的事情。 D+/D-检测至少需要500ms 才能完成。  您可以尝试在 REG0x11[6]中禁用自动检测。   最快的启动时间约为200ms。

    此致、

    Jeff  

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Jeff
    感谢您的答复。 我认为这是解决方案。
    在本例中、不可能做到这一点、因为 MCU 的功耗为3.3V (延迟800ms)。 因此、修改 REG0x11[6]中的自动检测的 I2C 写入访问将太晚。