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[参考译文] TPS92692-Q1:关于数据表公式(IL、VSW、)和 PDRV

Guru**** 2390955 points


请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1440169/tps92692-q1-about-datasheet-formula-il-vsw-and-pdrv

器件型号:TPS92692-Q1

工具与软件:

①It 似乎数据表中没有在计算 PSW 的公式26中包含用于计算 IL 的公式。
如果是、我应该参考哪个方程或值?

②Also、VSW 是否是7.5V LDO 电气特性中的 VCC (REG)值?

③Can PDRV 引脚电流可以用 QG x FSW (PWM 频率)计算、就像数据表中的 GATE 引脚公式一样?

④Can 我们将"PDRV 驱动器上拉电阻"视为 PDRV 引脚的内部导通电阻?

⑤For 绝对最大额定值"栅极(脉冲< 20 ns)、PDRV (脉冲< 10 μs)"是否适用于一个脉冲? 还是一秒内的脉冲总数?

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    ①It 似乎数据表中没有在计算 PSW 的公式26中包含用于计算 IL 的公式。
    如果是、我应该参考哪个方程或值?

    ②Also、VSW 是否是7.5V LDO 电气特性中的 VCC (REG)值?

    否、它取决于输入和输出电压以及占空比

    VOUT = Vin/(1 - D)。

    在开关"开通"期间、开关节点上的电压为0V、而在"关断"期间、开关节点上的电压上升至几乎等于输出电压(Vout)与二极管正向压降之和

    ③Can PDRV 引脚电流可以用 QG x FSW (PWM 频率)计算、就像数据表中的 GATE 引脚公式一样?

    这些是 PDRV 的绝对最大额定值




    PDRV 引脚电流取决于所选的外部 FET、该引脚可驱动最高500mA

    ④Can 我们将"PDRV 驱动器上拉电阻"视为 PDRV 引脚的内部导通电阻?

    ⑤For 绝对最大额定值"栅极(脉冲< 20 ns)、PDRV (脉冲< 10 μs)"是否适用于一个脉冲? 还是一秒内的脉冲总数?

    它适用于单脉冲宽度

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    ①数据表中没有列出 ΔILpp Ω 的公式或值。

    ④Why Ω 是不是所谓的上拉电阻器?
    栅极驱动器被称为"高侧电阻"和"低侧电阻"(在数据表的电气特性中)。

    ⑤What 仅 MOSFET 的输入电容为20nF 或更高、我该怎么办?

    脉冲时间为20ns 或更长。

    栅极(脉冲< 20ns)

    脉冲时间延长时是否有任何数据?

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    您好、nnn Sato、

    1) 通常、设计人员选择所需纹波电流百分比作为平均电感器电流(平均输入电流)的函数、该电流在最低 VIN 或 VINmin 时最高。   它们需要确保峰值电感器电流低于电流限制设定值。  您可以使用伏秒平衡轻松算出纹波电流。  如果你不知道这是什么,我会建议阅读它,我可以推荐一本优秀的书(基础的电力电子由 Erickson 和 Maksimovic )。  纹波峰峰值的公式是简单的 ILpk-pk =(Vin*(Vout-Vin ))/(L*Vout*Fsw),可以通过伏秒平衡得到。  我想您需要阅读一些应用手册以便更好地熟悉电源转换器。   

    下面是一些很好的应用手册、可以作为开始:

    https://www.ti.com/lit/an/slva372d/slva372d.pdf?ts = 1732117698937&ref_url=https%253A%252F%252Fwww.google.com%252F 

    https://www.ti.com/lit/an/slva797/slva797.pdf?ts = 1732119938840&ref_url=https%253A%252F%252Fwww.google.com%252F 

    2) 2) 假设您将一个图腾柱驱动器连接到 FET 的栅极。  当 P-FET 导通时、将 Vcc 连接到将 FET 导通的栅极。  这个 P-FET 具有 RDS_ON、这就是他们要讨论的上拉电阻。  我附上了一个详细介绍这一点的应用手册。   

    https://www.ti.com/lit/ml/slua618a/slua618a.pdf?ts = 1732120389483&ref_url=https%253A%252F%252Fwww.google.com%252F 

    5)。  我想你是在关注错误的事情。  如果您使用具有大栅极电荷的更大 FET、则这意味着对于固定栅极驱动强度、导通和关断时间将更长、并且您将具有更大的开关损耗。  您也会有更高的栅极驱动器 FET 损耗、但与开关损耗相比、该损耗通常很小。  这将意味着您可能必须要降低开关频率以降低开关损耗、这意味着需要使用更大的电感器和电容器。 还有其他选项、例如使用外部栅极驱动器、但这会增加成本。   

    我强烈建议您获取我们的 EVM (TPS92692EVM-880)、然后测试您的情况并对元件进行调整以进行优化。  您似乎并不熟悉开关转换器、希望应用手册、书籍、 计算表和工具将帮助您开始这方面的工作。   

    注意: 通常我们喜欢它,当你做一个帖子,让你的所有问题得到解答,而不是一堆帖子.  这使我们更难跟踪。  请确保在发布新问题之前在 E2E 中搜索问题。  很多次,你的问题已经被其他人问,已经有一个答案。  这将节省您的时间并减少工作量。  E2E 旨在成为包含问题和答案的可搜索数据库。   

    -fhoude.   

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    考虑"栅极(脉冲<20nS)、PDRV (脉冲<PDRV 10 μs)"
    当电流在1个脉冲内流向 MOSFET 栅极(QG)时、是否仅在输入容量内?

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    有。