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[参考译文] UCC27712：关断时间

admin
Guru**** 2510095 points
Other Parts Discussed in Thread: UCC27712

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1438066/ucc27712-turn-off-time

器件型号：UCC27712

工具与软件：

您好！

我正在尝试使用 UCC27712基于 PMP23338B 参考设计实现电路。

示波器屏幕截图中查看  

黄色--以 HS 为基准的 HO (忽略电压标度)

绿色--低

蓝色--高

红色-- LI

似乎输出信号上升时间的延迟与数据表(100ns)相符。 不过、当它应该为100ns 时、下降时间是1.6us？

鉴于此、当我有时间时、我需要返回并查看 PMP23338B 参考设计上的时序。 我们实现了该设计并注意到大量开关噪声、需要进一步研究。(关闭主题)。

此致、

John

  • 0
    TI__Guru**** 2510095 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、John、

    感谢您解答有关 UCC27712的问题。

    在查看您的原理图时、我确实有一些问题和评论。

    1.您在使用什么 FET？

    HB-HS 电容远超出我们通常的预期、应根据 FET、占空比和所需纹波来确定该电容的大小。 这些应为 X7R 陶瓷电容器。 请参阅此应用手册：

    - 针对半桥配置的自举电路选择

    3. VDD 电容太小,无法提供本地能量源和瞬态响应。 建议在 VDD 上放置一个是 HB-HS 自举电容器10倍的 VDD 电容器以及一个100nF 小型旁路电容器。 应将这些电容器尽可能靠近 VDD 放置、并且100nF 电容器更靠近这两者。 它们也应为 X7R 陶瓷电容器。

    4.输入端的 RC 滤波器最大应为100欧姆和100pF。

    5.您提到您要测量的是好的 HO-HS、但您得到的是 mV 刻度。 您使用的是什么差分探头？ 此外、应在栅极驱动器的引脚上进行所有测量。

    如果有任何问题、请告诉我。

    谢谢！

    William Moore

  • 0
    TI__Guru**** 2510095 points
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    您好、William、

    感谢您的答复。

    1. FET 是 Infineon IPT60R022S7XTMA1。

    2,3,4.

    原理图中的元件值直接取自 TI 参考设计 PMP23338B。 这些值可以用于50-60Hz、但不适用于20kHz。 我将返回并检查和更新这些值

    5.它是一个 Tektronics P5200 ,真正的刻度是5V/div。

    当我星期一回到办公室时,我会再次回复,并可以进行更新。

    再次感谢、

    John

  • 0
    TI__Guru**** 2510095 points
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    您好、John、

    是的、具有50Hz 至60Hz 的开关频率参考设计以及需要20kHz 的系统。 这会改变设计要求。 请遵循自举设计应用手册中的指南、如果您有任何问题、请告诉我。

    谢谢！

    William Moore

  • 0
    TI__Guru**** 2510095 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、John、

    您是否能够解决此问题？ 现在还有其他问题吗？

    谢谢！

    William Moore

  • 0
    TI__Guru**** 2510095 points
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    您好、William、

    好的、谢谢。  您的建议清除了时间问题。

    我延迟了响应、因为仍然存在一些振铃问题。 如果没有在 HVBUS 上施加电压、就不会出现振铃。 施加的电压(12v)、即使电流非常低(通过电阻器的电流为10mA)、它也会发生振铃。 更新自举电容器和电阻器会有所帮助、但布局可能存在一些问题。

    请注意、这是一个 H 桥电路。 上述原理图可反映出驱动信号的相应变化、以创建反向驱动。

    接下来的步骤涉及清理布局：

    • 断开通过 MOSFET 的高电流路径、以获得其自身的接地。
    • 为控制逻辑创建单独的接地。
    • 将两个接地端连接起来。
    • 将栅极驱动回路引脚从电源接地端分离、但这确实需要连接到高侧的电源接地端(请参阅标签负载1)

    我的原始问题似乎已解决、因此我们可以关闭该问题。  

    再次感谢您的帮助。

    John