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[参考译文] TLV755P：TLV75533PDBVR

admin
Guru**** 2510095 points
Other Parts Discussed in Thread: TLV755P

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1442304/tlv755p-tlv75533pdbvr

器件型号：TLV755P

工具与软件：

您好！

我们一直在设计中使用器件 TLV755P、其输出电压为3.3V、500mA。 我们观察到此 LDO 的静态电流(Iq)在下面列出的 IC 中有所不同、它是否有效？

采样1 - 28uA

样片2 - 33uA

采样3 - 25uA

样本4 - 23uA

我们已在相同的稳压输入电压和相同的设计下、无负载条件测试了上述样本、但观察到的 IQ 不同。

谢谢！

Jagan K.

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    TI__Guru**** 2510095 points
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    尊敬的 Jagan：

    I_GND 规格表明、在室温和0mA 负载条件下存在一定程度的扩散、这是由于工艺变化所致。 您用于测试的输入电压是多少？ 唯一不在 EC 规格范围内的样本是样本2、但 EC 规格的输入电压为 VOUT + 0.5V、因此如果您测试的输入电压不是3.8V、则测试将不会与 EC 规格完全一致。

    此致、

    Nick

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    TI__Guru**** 2510095 points
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    您好、Nick。

    感谢您的支持。 所有样片均在相同条件下进行测试、输入电压为4V、室温保持在25至28°C 之间。

    根据数据表、在不同样本中、I_GND 是否可以在14和31 µA 之间变化？

    谢谢！

    Jagan K.

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    TI__Guru**** 2510095 points
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    尊敬的 Jagan：

    是的、预计会有一些分散。

    此致、

    Nick