This thread has been locked.

If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.

[参考译文] TPS2663:有关 TPS2663的一些问题

Guru**** 2337880 points
Other Parts Discussed in Thread: TPS2663
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1440941/tps2663-some-question-about-tps2663

器件型号:TPS2663

工具与软件:

尊敬的 Expert:

1.根据规范、I_R123需要大于2uA。 这是为了满足 UVLO 和 OVP 的泄漏电流要求。 不能太大而影响输入分流。 2uA 是如何确定的?

 但是、在数据表中、由于连接到电阻串的外部有源器件而产生的泄漏电流会增加这些计算的误差。 因此、选择的电阻串电流 I (R123)必须比 UVLO 和 OVP 引脚漏电流大20倍。

哪一个是正确的?

2.在规格中建议 C (dtdv)电容器的容值至少为10nF。 设计文件规定为22nF。 ->我想解释一下、除了影响转换率和浪涌之外、这种限制的原因是什么?

IEC 61000-4-2接触放电±8KV 要求。 是否有推荐的环路对策(TVS 或 MOSFET? 当发生 TVS 反向崩溃时、是否会触发 IC 的 OVP 操作? 您是否进行过任何测试或如何评估? ?)

谢谢!

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    你好、Jimmy、

    要选择 UVLO 和 OVP 电阻值、请首选产品页面中提供的 TPS2663设计计算器。

    2.器件具有内部 dVdT 电容。 如果不需要额外的压摆率控制、请使 dVdT 悬空。

    器件的每个引脚都有 ESD 保护二极管。

    谢谢  

    Amrit