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器件型号：BQ40Z50-R2 工具与软件：
您好！
在为电池组件充电时、每个单节电芯的电压超过4200mV、但是充电 FET 未在4200mV 处关闭、这是针对所有温度充电曲线的高级充电算法表中的关闭设置(请参见下面的内容)。
您可以帮助我进行故障排除、或者了解 CHG FET 无法关闭的原因。
此致、
Joe DeWitt
工具与软件：
您好！
在为电池组件充电时、每个单节电芯的电压超过4200mV、但是充电 FET 未在4200mV 处关闭、这是针对所有温度充电曲线的高级充电算法表中的关闭设置(请参见下面的内容)。
您可以帮助我进行故障排除、或者了解 CHG FET 无法关闭的原因。
此致、
Joe DeWitt
您好、Joe。
您能否告诉我们、在数据存储器的保护部分中、COV 参数设置为什么？
此致、
Anthony
Anthony、您好！
COV 保护设置为4300 mV (请参阅下面的附件)。 CHG FET 将会关断的 COV 保护设定点是否为？ 如果是、那么高级充电算法电压设定点使用什么功能？
此致、
Joe DeWitt
您好、Joe。
感谢提供的信息、如果触发 COV、这将使用[XCHG]位强制关闭 CHG FET。
在这种情况下、我认为不满足有效的充电终止条件。 这些条件可在下面找到：
在这种情况下、也可以使用 TC 位来关闭 CHG FET：
此致、
Anthony
您好、Joe。
可以在下面的数据闪存中找到充电项电压：
由于该值被添加到最大电池电压中、因此默认值为75mV。 这不应设置为 COV 阈值、因为这会使有效充电终止提前。
此致、
Anthony
