[参考译文] TLV760：肖特基路径消耗备用电荷

嗨、Hayashi、

通常、在此实现方案中、我们假设当输入电源消失时、VIN 接地、因此输出电容器通过肖特基二极管放电至接地。  

但是、正如您所提到的、如果 VIN 节点位于 Hi-Z CONFIG 中、Cout 和 Cin 之间将会存在一种电荷共享机制。 由于 LDO 的 VIN 引脚上会产生某种电压、因为可能会出现您提到的电流路径。  

但是、由于 VIN 始终低于 VOUT 引脚、器件将始终处于压降运行状态、并且会有电流流过 LDO 地(静态电流)。  

在 TLV760的数据表(图3)中捕获了 IQ 与 VIN 之间的关系、根据 VIN 的水平、可以粗略地估算流向地面的电流。  

请查看并告知我是否需要进一步的详细信息。

此致、
Rohit Phogat

嗨、Hayashi、

尽管 IN-GND 是高阻抗节点、但由于 CIN 和 COUT 之间的电容分压、IN 引脚上仍然存在电位。

您能否提供一些有关 CIN/Cout 在客户环境中的价值的信息。

此致、
Rohit  

嗨、Hayashi、

我没有意识到该线程仍然是打开的。 如果 CIN 和 COUT 均相等、则 IN 将充电至约2.5V、在这种情况下、流经 GND 的电流约为1.2mA (图3)。 但在这种情况下、如果连接了一个大输出电容器、IN 将处于更高的电势并会增加 IGND 功耗。

此致、
Rohit