工具与软件:
您好!
我有一个使用 LM25117PSQE ( CSD17577Q3A 作为 MOSFET 器件)的设计。
Vin = 24nom 18V 最小值
VOUT = 12V
Iout = 10安培
现在、在几块 PCB 上、我已经看到正常运行了一段时间、随后是 Q501上的低关断电阻硬故障、系统通电时 Vout 为24V。 我没有发现工作状态与故障之间有任何异常活动。
请大家审查并提供建议、我们目前正在努力发布用于生产 Q 的 PCB 设计。
谢谢!
Dean
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您好!
我有一个使用 LM25117PSQE ( CSD17577Q3A 作为 MOSFET 器件)的设计。
Vin = 24nom 18V 最小值
VOUT = 12V
Iout = 10安培
现在、在几块 PCB 上、我已经看到正常运行了一段时间、随后是 Q501上的低关断电阻硬故障、系统通电时 Vout 为24V。 我没有发现工作状态与故障之间有任何异常活动。
请大家审查并提供建议、我们目前正在努力发布用于生产 Q 的 PCB 设计。
谢谢!
Dean
Dean、您好!
感谢您关注 TI FET。 这听起来像是高侧 短路 FET 故障。 已查看开关波形(VGS 和 VDS)。 开关节点上是否存在过大的振铃或过冲? 几个观察结果:(1)在24V 输入端使用30V FET、不会为输入端由于瞬态和调节而产生的电压尖峰/过冲或更高电压留出太多裕度。 这可能没问题、但我建议查看开关波形、确保任何一个 FET 都不会超过 BVDSS。 (2)输入端只有10μF + 0.1μF 电容。 对于输出功率(120W)而言、这似乎相当低。 在大多数应用中、并联多个 MLCC 输入电容器。 电容器的额定值必须能够处理可估算为 Iout/2 (5A)的均方根输入电流。 应将这些电阻器放置在尽可能靠近高侧 FET 的漏极和低侧 FET 的源极(在这种情况下为电流感应电阻器 GND)的位置。 低侧 FET 或控制器等其他元件是否有损坏?
谢谢!
约翰·华莱士
TI FET 应用