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[参考译文] CSD17577Q3A:带 LM25117PSQE 的电路-多个 MOSFET 故障(短路)

Guru**** 2382230 points
Other Parts Discussed in Thread: CSD17577Q3A
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1435451/csd17577q3a-circuit-with-lm25117psqe---multiple-mosfet-failures-short-circuit

器件型号:CSD17577Q3A

工具与软件:

您好!

我有一个使用 LM25117PSQE ( CSD17577Q3A 作为 MOSFET 器件)的设计。

Vin = 24nom 18V 最小值

VOUT = 12V

Iout = 10安培

现在、在几块 PCB 上、我已经看到正常运行了一段时间、随后是 Q501上的低关断电阻硬故障、系统通电时 Vout 为24V。  我没有发现工作状态与故障之间有任何异常活动。

请大家审查并提供建议、我们目前正在努力发布用于生产 Q 的 PCB 设计。

谢谢!

Dean

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    Dean、您好!

    感谢您关注 TI FET。 这听起来像是高侧 短路 FET 故障。 已查看开关波形(VGS 和 VDS)。 开关节点上是否存在过大的振铃或过冲? 几个观察结果:(1)在24V 输入端使用30V FET、不会为输入端由于瞬态和调节而产生的电压尖峰/过冲或更高电压留出太多裕度。 这可能没问题、但我建议查看开关波形、确保任何一个 FET 都不会超过 BVDSS。 (2)输入端只有10μF + 0.1μF 电容。 对于输出功率(120W)而言、这似乎相当低。 在大多数应用中、并联多个 MLCC 输入电容器。 电容器的额定值必须能够处理可估算为 Iout/2 (5A)的均方根输入电流。 应将这些电阻器放置在尽可能靠近高侧 FET 的漏极和低侧 FET 的源极(在这种情况下为电流感应电阻器 GND)的位置。 低侧 FET 或控制器等其他元件是否有损坏?

    谢谢!

    约翰·华莱士

    TI FET 应用

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    您好、Dean:

    跟进以查看您的问题是否已解决。 请告诉我。

    谢谢!

    John

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    尊敬的 John:   

    感谢您的答复。

    我希望本周能进一步研究这一问题、然后我将能够提供最新情况。
    我计划在设计中增加 FET 的 VDS、这样都可以准备好进行下一次 PCB 修订。

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    您好、Dean:

    感谢您的更新。 如果您有更多信息、请告诉我。

    此致、

    John

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    您好、Dean:

    再次跟进、看看此问题是否已得到解决、或者我是否可以提供任何进一步的帮助。

    谢谢!

    John

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    您好、Dean:

    由于我尚未收到回复、因此我假设您的问题已解决、将关闭此主题。 请告诉我、我是否可以提供进一步的帮助。

    谢谢!

    John