[参考译文] LMG3422R030：LMG3422R030RQZT

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器件型号：LMG3422R030

工具与软件：

主题： 在仿真中有关 LDO 引脚和 RDRV 引脚行为的阐释

LDO 引脚行为：
根据数据表和原理图、建议在 LDO 引脚上使用一个0.22 µF 电容器。不过、在仿真中、使用该电容器不会产生预期结果。相反、在 LDO 引脚连接电阻(1 kΩ 或更高)可使电路按预期运行。您能否澄清一下仿真模型和数据表建议之间的差异？
RDRV 引脚与压摆率的关系：
我知道 RDRV 引脚用于调整栅极驱动强度、这会影响器件的压摆率。然而、所使用的电阻通常在几十千欧的范围内(例如、20 kΩ 或者更多)。请您详细说明：
- RDRV 引脚上的电阻如何影响压摆率？
- RDRV 电阻值与产生的压摆率之间的精确关系？
- 在选择合适的 RDRV 电阻值时、是否有注意事项或权衡？
- 这里、我附加了仿真原理图作为参考

您对这些问题的见解将极大地帮助您了解器件行为并针对我们的应用优化其性能。

感谢您的时间和支持。我期待您的答复。

0 admin 11 个月前

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嗨、Hareesh：

1. LDO 仿真行为：在仿真中没有考虑所有电路中存在的寄生电阻、电容或电感。因此、当通过理想电容器(如仿真所见)将5V 输出引脚直接接地时、这将导致错误。这里必须有一个电阻。

2. Rdrv 引脚和压摆率：

每个器件的数据表中都有一个表格、提供了 Rdrv 值与压摆率的相关性。我将 LMG3422R030的表格包含在下面。

该器件对 Rdrv 进行采样以确定电阻器值。然后、该器件使用确定的值来动态地更改集成栅极驱动器的驱动强度。栅极驱动电流环路中不包含 Rdrv 引脚、它仅用于告诉栅极驱动器要使用的驱动强度。

选择驱动强度/压摆率的注意事项：更快的压摆率可减少重叠转换的时间、从而提高开关效率。慢速压摆率将为您提供更多的时间来对导通的器件的 Coss 电容进行放电。这将导致由 Coss 电容器放电产生的电流较低、因此开关节点上的振铃较少、EMI 较低。压摆率是开关效率与开关噪声之间的平衡。

此致！

Kyle Wolf

0 admin 11 个月前

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尊敬的 Kyle Wolf：

我希望这封电子邮件能让您满意。我要对您之前的指导表示感谢、您的指导极大地帮助了我理解集成式 GaN 栅极驱动器的功能。但是、我仍有一些问题需要进一步澄清、我将非常感谢你的帮助。

仿真和绘图：
- 如何在仿真中绘制开关期间的栅极电荷随时间变化的曲线？
- 如何在仿真过程中观察和分析 Id 与 Vds 和 Id 与 Vgs 的特性？
Rdrv 电阻和驱动强度：
您能否解释一下为什么集成式 GaN 栅极驱动器中的 Rdrv 电阻相对较高？此外、我还想详细了解此电阻如何决定栅极驱动器的驱动强度。

您对这些方面的详细说明将帮助我更深入地理解概念。

感谢您的时间和支持。我期待您的答复。

此致、

Hareesh

0 admin 10 个月前

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嗨、Hareesh：

很抱歉延迟了响应。
Kyle 今天将重放给您。

此致、
Madhur

0 admin 10 个月前

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嗨、Hareesh：

1.借助集成的栅极驱动器、我们提供了 Vdd 电源电流与开关频率的关系图、可确定栅极驱动损耗。这包括栅极电荷中的功率损耗。

2.ID 与 VDS 之间的关系应该能够通过将电压探头放置在器件的漏极和源极上、并将电流探头放置在器件的源极上来观察。我们集成了栅极驱动器、并且栅极无法作为器件上的引脚访问、因此我们无法在仿真中对其进行测量。

3.栅极驱动器对 RDRV 引脚进行采样、并使用读取的值来设置其驱动强度。流过 Rdrv 电阻器的电流非常小、它不在栅极驱动路径中、因此不需要具有小电阻。

此致！

Kyle Wolf

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