[参考译文] BQ40Z50-R2：CHG FET 关断且 DSG FET 导通时的高睡眠电流

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器件型号：BQ40Z50-R2
Thread 中讨论的其他器件： BQ40Z50

工具与软件：

大家好、我们的设计包含一个与 BQ40Z50-R2数据表中的图9-1匹配的1S 电池组、根据1S 设计的数据表进行了修改。二级保护 IC 为 BQ2946xx、其泄漏电流仅为1uA。

I 测得的运行和关断电流分别为307uA 和1.7uA；这些值相对接近数据表的表7.5中显示的技术规格。不过、I 测量的睡眠电流(CHG FET = OFF、DSG = ON)为115uA；这比相应的数据表规格(75uA)高50%以上。我们的 golden 文件链接如下： 6683.gg.csv

我可以请 TI 帮助查看我们的 golden 文件、并确定是否有任何启用/禁用控制或报告率导致高睡眠电流？请注意、出于此测试的目的、我已设置 SLEEPCHG = 0以匹配数据表条件。如果如 golden 文件所示设置 SLEEPCHG=1、则睡眠电流增加到131uA；这似乎是预期行为。

如果我能提供任何其他信息、请告知我。提前感谢您！

0 admin 1 年多前

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Jeff、您好！

团队现在开始休假。我们将在下周进一步了解一下。

此致、

Adrian

0 admin 1 年多前

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Jeff、您好！

我与我们的高级 FW 工程师和另一名高级设计工程师进行了讨论、他们无法提供原因。他们只想让我做的就是向您确认您测量器件电源电流的流程。在测量电源电流时、您是否要确保 IC 是隔离的、以便电路板上的其他 IC 不会影响测试结果。我们查看了 gg 文件、没有任何差异会导致这种情况。

此致、

Adrian

0 admin 1 年多前

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您好、 Adrian—感谢您的更新。

保护板上的覆铜使我无法完全隔离 BQ40Z50、但另一个负载是 BQ2946xx。由于整个系统的关断电流在 BQ40Z50数据表中指定的关断电流下几乎是点通的、因此可以合理地假设增加的电流仅由 BQ40Z50消耗。

实际上、我预计总 BQ40Z50 + BQ2946xx 关断电流将接近1.6 + 1.0 = 2.6uA。由于我在本例中的总测量值仅为1.7uA、因此似乎有一个或两个器件都超出了关断模式的数据表性能。

我在 TI EVM 上重复了相同的测量、CC0 = CC1 = 0且 VC1–4短接在一起、睡眠电流为134uA；这甚至高于我们自己的保护板。我认为 TI EVM 可能具有较新的固件(例如 R3–R5)、因此不必进行同类比较。

从实际上来说、这个额外的40uA 对我们的应用来说并不是一个大问题。此处的目标主要是让 TI 彻底检查我们的黄金文件并识别任何可能出现的结果。由于没有什么突出显示的内容、因此我们现在可以关闭该主题。再次感谢您的观看！

电源管理（参考译文帖）(Read Only)