请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
器件型号：BQ25892 Thread 中讨论的其他器件：BQ25890
工具与软件：
尊敬的 TI 参考设计支持服务：
我在 BQ25890/2592上需要有关 VBAT_GD 规范的一些帮助。
在 BQ25890/92数据表的第8.5点、我们可以看到电池正常比较器上升阈值为3.55V (典型值)、最大值为3.7V。
此外、在9.1功能方框图上、我们可以看到 VBAT_GD 比较器：
但是、数据表上没有关于这种情况的其他说明。
与这种监督有关的问题是：
1) 1)如果电池电压低于 VBAT (GD)比较器上升阈值、会发生什么情况？
2) 2)如果我们连接的电池低于此限制、并且不存在 VBUS、则电池已连接到系统(BATFET 导通)？
3) 3)请确认没有内部寄存器报告这种情况。
4) 4) 4)当 VBAT (GD)比较器在插入输入源但没有输入源的情况下低于上升阈值时会发生什么操作？
提前非常感谢、
Valentín Díaz í a Guerra
