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[参考译文] BQ27Z561-R1:BQ27Z561写入数据闪存失败。

Guru**** 2380860 points
Other Parts Discussed in Thread: BQ27Z561, EV2400, BQSTUDIO
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1444444/bq27z561-r1-bq27z561-write-data-flash-failed

器件型号:BQ27Z561-R1
主题中讨论的其他器件:BQ27Z561EV2400BQSTUDIO

工具与软件:

我在使用 BQ27Z561时遇到问题,我写入数据闪存,但失败了。

我可以成功写入寄存器、并且[SEC1][SEC0]= 01、它是完全访问。

我该怎么办?

 

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    我 确定电池电压高于 有效更新电压、我尝试将 IIC 模式切换到 HDQ 模式、但仍然无法写入数据闪存。

    调试器为 EV2400、软件为 BQStuido 1.3.127、默认配置 BQ27Z561。

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    我尝试更新固件、我使用从 TI 网站下载的 BQ27Z561R2、但仍然失败。

    我试过很多 PCB 板和调试器、但它们没有用。

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    您好!  

    您似乎超出了监测计的建议工作范围。 请尝试使用较低的电压。  

    此致、  

    Robert。  

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    尊敬的 Robert:

    我尝试一个新的 PCB 板、并使用一个直流源作为电源、设置 Voltage = 4V、此 值高于 有效更新电压。 SEC1 = 0 SEC0 = 1

    我可以成功读取/写入寄存器、成功读取 DATA_MEMORY。 但当我尝试写入 DATA_MEMORY 时、bqStudio 显示一条警告消息、该值无法写入。

    谢谢

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    您好!  

    您是否能够使用 Advanced COM 来手动写入该值? 您可以参考 此 E2E 主题。  

    此致、  

    Robert。  

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    您好!

    我尝试 通过使用 Advanced COM 手动写入值、但仍然失败、我尝试了很多次、但都失败了

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    您好!  

    您似乎对此错误地计算了校验和。 校验和不是数据和命令之和的按位。 在这种特定情况下、校验和应按如下方式计算:  

    校验和= NOT (0x95 + 0x44 + 0x0A)= NOT (0xE3)= 0x1C

    此致、  

    Robert。  

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    我再次尝试、设置校验和= NOT (0x95 + 0x44 + 0x0A)= NOT (0xE3)=  0x1C、但仍然像以前一样失败。

    我决定用 BA27Z561-R2固件购买一些新芯片、我现在使用 BQ27Z561固件、但未能将 固件更新到 R2版本。

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    您好!

    我不知道你这么说是什么意思。 能否在此详细说明一下这个问题?

    此致、  

    Robert。  

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    您好、Robert:

    我的意思是 通过使用 Advanced COM μ、手动写入该值、但仍然失败。

    我不知道此问题是因为我的固件版本太旧。 我的当前固件版本是 BQ27Z561。

    谢谢。

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    您好!  

    这只是澄清一下、监测计是处于 I2C 模式还是 HDQ 模式? 此外、您是否在多个 IC 上看到过这种行为?  

    此致、  

    Robert。  

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    谢谢、Robert。

    我已经解决了这个问题、我使用了 I2C 模式并使用了较小的 I2C 上拉电阻器、并且在两个 PCB 板中成功地写入 DATA_FLASH。

    此致、

    Liufeng