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[参考译文] UCC5350-Q1:建议使用隔离式栅极驱动器

Guru**** 2382480 points
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1450173/ucc5350-q1-isolated-gate-driver-recommend

器件型号:UCC5350-Q1

工具与软件:

尊敬的专家:

请根据以下请求帮助向我的客户推荐最合适的器件:

  • 驱动 GaNFET。
  • 传播延迟:<10ns (必须)
  • 初级侧和次级侧之间的电气间隙需要≥8mm。

此致、

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Ryker:

    使用隔离式栅极驱动器驱动 GaN FET 面临的挑战是、允许的最大栅极驱动电压通常低于栅极驱动器的 UVLO 设置。 如果栅极驱动器的电源电压降至 UVLO 阈值以下、该驱动器将被禁用。 如果您的 GaN FET 可以接受负关断电压、这可以解决。 例如、8V UVLO UCC5350SB 至少需要9.5V 电源。 它可以与-4.5V VEE2和5V VCC2电源一起使用。   

    我们没有任何传播延迟小于10ns 的隔离式栅极驱动器。 隔离式栅极驱动器需要更多的时间来通过隔离栅发送开关键控信号。 对于该延迟、您可能必须使用非隔离式分立式 BJT 图腾柱缓冲器。  

    我们产品系列中的 DWV 封装具有8mm 的间隙、但我们确实拥有将于2月发布的具有16mm 间隙的 UCC5350DWL。

    此致、

    Sean