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器件型号:UCC5350-Q1 工具与软件:
尊敬的专家:
请根据以下请求帮助向我的客户推荐最合适的器件:
- 驱动 GaNFET。
- 传播延迟:<10ns (必须)
- 初级侧和次级侧之间的电气间隙需要≥8mm。
此致、
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工具与软件:
尊敬的专家:
请根据以下请求帮助向我的客户推荐最合适的器件:
此致、
尊敬的 Ryker:
使用隔离式栅极驱动器驱动 GaN FET 面临的挑战是、允许的最大栅极驱动电压通常低于栅极驱动器的 UVLO 设置。 如果栅极驱动器的电源电压降至 UVLO 阈值以下、该驱动器将被禁用。 如果您的 GaN FET 可以接受负关断电压、这可以解决。 例如、8V UVLO UCC5350SB 至少需要9.5V 电源。 它可以与-4.5V VEE2和5V VCC2电源一起使用。
我们没有任何传播延迟小于10ns 的隔离式栅极驱动器。 隔离式栅极驱动器需要更多的时间来通过隔离栅发送开关键控信号。 对于该延迟、您可能必须使用非隔离式分立式 BJT 图腾柱缓冲器。
我们产品系列中的 DWV 封装具有8mm 的间隙、但我们确实拥有将于2月发布的具有16mm 间隙的 UCC5350DWL。
此致、
Sean