Thread 中讨论的其他器件:TAS2552、
工具与软件:
尊敬的 Garett:
这里是 BQ29295的另一种奇怪行为。 它仍然是同一个系统
- 100mA 功耗的内容
- 输入5V 2A 适配器
- 4.16V 锂离子电池1800mA、102mA 充电电流。 VBATT 为3.97V
- x10µF 具有1µF + 2k Ω
- PMID 具有3x10µF μ DMA
- OTG_CONFIG = 0
- VSYS 在同一电路板上具有60µF +在单独的电路板上具有6000µF (各卡之间有带状光缆)
在电池未充满电或未完全放电的情况下、BQ 处于快速充电模式、我*拔下电源设备*(在 USB 连接器上、因此、我只有 REG 8[3](DPM)可更改所有内容(电源正常、快速充电)...保持相同
在此状态下:
- VBUS 电压等于4.27V (VBATT + 0.32V)。 我甚至可以在不改变状态(电源正常下降、停止充电等)的情况下在该引脚上至少消耗0.6mA
- VSYS 电压也等于4.27V。 在这里、我可以在 VSYS 低于足以实现电源正常下降之前消耗高达1A 的电流
- VBATT 为3.94V
根据我对这种情况的理解、在拔出插头时、内部 Q2/Q3 FET 继续切换。 外部电感器+ Q2起到升压的作用、实际上是上升 SW 节点上的电压。 然后、这些能量流向 PMID + VBUS (Q1保持开启状态、因为没有断电检测)、从而在该 RISED 电压下维持 VBUS。 此外、能量也会在 VSYS 上升 VSYS 节点上流回
此后、我们开始了一个"变通办法"、即:我们在进入 DPM 状态时启动 DPDM。 这种强制漏极 VBUS 上的电流、并强制电源正常下降。 我不确定我们此时是否已完全理解
这是什么东西已知?
是否有建议的解决方法 ?
在这种情况下、VBUS 和 VSYS 上的最大可高速缓冲电压是多少(担心 VSYS 节点上可能存在与之相关的 IC 锁定)?
此致、
有多大能力