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[参考译文] BQ24295:拔出检测问题

Guru**** 2390735 points
Other Parts Discussed in Thread: TAS2552, BQ24295
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1441834/bq24295-unplug-detection-issue

器件型号:BQ24295
Thread 中讨论的其他器件:TAS2552

工具与软件:

尊敬的 Garett:

这里是 BQ29295的另一种奇怪行为。 它仍然是同一个系统

  • 100mA 功耗的内容
  • 输入5V 2A 适配器
  • 4.16V 锂离子电池1800mA、102mA 充电电流。 VBATT 为3.97V
  • x10µF 具有1µF + 2k Ω
  • PMID 具有3x10µF μ DMA
  • OTG_CONFIG = 0
  • VSYS 在同一电路板上具有60µF +在单独的电路板上具有6000µF (各卡之间有带状光缆)

在电池未充满电或未完全放电的情况下、BQ 处于快速充电模式、我*拔下电源设备*(在 USB 连接器上、因此、我只有 REG 8[3](DPM)可更改所有内容(电源正常、快速充电)...保持相同
在此状态下:

  • VBUS 电压等于4.27V (VBATT + 0.32V)。 我甚至可以在不改变状态(电源正常下降、停止充电等)的情况下在该引脚上至少消耗0.6mA
  • VSYS 电压也等于4.27V。 在这里、我可以在 VSYS 低于足以实现电源正常下降之前消耗高达1A 的电流
  • VBATT 为3.94V

根据我对这种情况的理解、在拔出插头时、内部 Q2/Q3 FET 继续切换。 外部电感器+ Q2起到升压的作用、实际上是上升 SW 节点上的电压。 然后、这些能量流向 PMID + VBUS (Q1保持开启状态、因为没有断电检测)、从而在该 RISED 电压下维持 VBUS。 此外、能量也会在 VSYS 上升 VSYS 节点上流回

此后、我们开始了一个"变通办法"、即:我们在进入 DPM 状态时启动 DPDM。 这种强制漏极 VBUS 上的电流、并强制电源正常下降。 我不确定我们此时是否已完全理解

这是什么东西已知?
是否有建议的解决方法 ?
在这种情况下、VBUS 和 VSYS 上的最大可高速缓冲电压是多少(担心 VSYS 节点上可能存在与之相关的 IC 锁定)?

此致、

有多大能力

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    为了更精确一点:
    "在电池未充满电或未完全放电的情况下、BQ 处于快速充电模式、我拔下 USB 连接器上的电源*、"

    我只有 REG 8[3](DPM)发生变化。

    以及其他一切(PowerGood、FastCharging 等)。 保持不变。

    关于"权变措施"、在集成此权变措施(8年前)时、它适用于特定的临界情况(电源不良检测)、而不适用于这种更一般的断电检测情况。

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    您好、Emmanuel、

    我们正在研究您的问题、并将在今天结束前作出回应。

    此致、

    Wyatt Keller

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    伊曼纽尔您好

    我正在研究这一问题、明天将努力让您获得更好的更新。

    您是否有可以发给我的电路示意图?

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    非常基本、这里是电源板。
    VSYS 电源轨上的应用板具有

    • 4x1500µF μ A
    • LDO (3.3V 输出)
    • 调制解调器(Quectel EG912Y)
    • TAS2552功率放大器
    • 用于电压测量的电阻分压器
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    伊曼纽尔您好

    无法在实验室中重现问题。

    但通过查看问题、我们得到了有关其他器件上类似行为的报告。 也称为升压-降压  

    原因与 C-BTST 电容器有关、需要检查以下几点:

    • C-BTST 使用哪种类型的电容器?
      • 电容上更高的泄漏会增加风险
    • 尝试减小 R3的值(与 C3串联)  
    • 降低 VINDPM  
    • 增大 C-BTST
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    Bill、

    这是一条非常有趣的信息。 我已经在过去的2天做了这件事。
    首先、答案:

    C3是由 Murata GRM155R71C473KA01提供的陶瓷电容器0402 X7R
    R3和 C3值来自 TI 在首次认证期间为解决 EMC 问题而提供的建议。

    其次、在调查过程中、我发现了一个更大的问题:

    绝缘性能。 PSU 在此时间插入 就在电池充电结束之前、我遇到了这种问题。 Q2 MOS 似乎卡在开启位置。 在这些100µs 期间、VBUS 被直接馈入 VSYS、然后馈入 VBAT。 这会导致1.6A 尖峰、VBAT 和 VSYS 由于电流流动而上升到4.36V、VBUS 低于4.48V (这会受到电缆、插入电流表的电压降以及 PSU 响应时间的限制)。

    该事件周期范围为5至10ms。  BTST 引脚在此事件期间似乎正常。 VREGN (此处未显示)似乎下降(由于 VBUS 下降)。 VBAT (此处未显示)与 VSYS 类似。 充电结束前的整个持续时间只有几分钟。 此时一切都很安静
    如果需要、我可以共享其他示波器捕获。 我不清楚需要了解的情况。

    这是否也与同一问题有关? 对此还有其他评论吗?
    我们有大约15万单位的领域,我的目标是找到一种方法来避免这种情况(参数,..)

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    您好!

    由于美国节假日、我们的回复将会延迟、由此给您带来的不便、我们深表歉意。

    此致、

    Wyatt Keller

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    Wyatt、不存在延迟问题。 感恩节快乐!

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    伊曼纽尔您好

    正在查看此报告、并将在明天发布更新。

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    伊曼纽尔您好

    我已经对 BTST 电容器(C3)和电阻器(R3)做了一些额外的研究。  电容值正常、但 R3不应大于5欧姆、82欧姆将导致在拔下 VBUS 时报告的第一个问题。  很可能是它导致了您在 Q2上报告的2ed 问题。

    您能否使用较低的 R3值进行测试?

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    我当前正在尝试重现"R2=0欧姆时的"Q2 on Issue"。
    我觉得奇怪的是、自举电路在完整事件期间为高电平(7.6V)、您是否具有 BTST 正确 Q2运行的最小电压? 我想是这样

    我还有其他问题:

    存在一个 tRECHG 时间(20ms)、即 VBAT 小于 VREG-VRECHG 时触发新电荷的最短时间。
    在 VREG 电压下停止充电的最短时间是多少?

    在本例中、我有 VREG 4.176V、Icharge 102.4mA。

    如果我让 EN_TERM 启用(Iterm 为128mA、是可能的最低值)、则一旦我达到4.176V、充电似乎会停止。 问题是实际电池电压略低于4.176V (因为其内部流动100mA)、并且充电停止、VBAT 降至4.076V、并且会触发新的充电、但会出现充电/充电停止现象。

    我尝试将 VRECHG 切换到300mV、但在这里、我有其他有线行为:我的充电似乎在3.87V 停止。 VSYS 似乎比 VBAT 高0.3V 至0.4V。 这种300mV 阈值模式是否可以在我的特定情况下工作、或者其他参数(例如低电流充电)是否会导致某些限制?

    其他可能是禁用 EN_TERM、但此时我不得不自行停止充电。 似乎没有任何线索表明我们是否达到 VREG 电压? 我不能有 VBAT 值、我在系统中只有 VSYS。 我将尝试使用这些信息复制充电停止/启动。

    此致、

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    伊曼纽尔您好

    在本例中、我有 VREG 4.176V、Icharge 102.4mA。
    [报价]

    最小充电电流为512mA、默认充电电流为1024mA。  如果您要将充电电流设置为102.4mA、如何设置?

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    REG[02]=01 :带有20%标志的512mA 这将给出102.4mA

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    伊曼纽尔您好

    BQ24295看上去不适合您的应用。  对于该器件、这是一个非常低的充电电流。  我们有更新的器件、它们可能更适合您的应用。

    此时是否可以更改器件?

    您能提供一份要求列表吗?

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    遗憾的是不可以

    该产品设计于2016年年中、自那时以来我们已经生产了超过30万件、现场至少有15万件。 电流设计必须考虑在内、包括自举电容器上的82欧姆电阻器。

    设计产品时、想法是使用512mA 电流电荷、但在 EMC 辐射测试期间、我们看到超过了几 dB。 我们进行了调查,发现将当前的费用降低到最低可能: 512mA /5帮助。
    我们还通过分销商(当时为 Avnet Silica)联系了 TI。 交换之后、TI 建议添加一个带自举的10至100 Ω 电阻器。

    最初、产品内置了3G 调制解调器。 调制解调器 PA 直接由 VSYS 供电。 2022年、此调制解调器已被4G 调制解调器所取代。 几个月后、我们开始出现调制解调器 PA 放大器故障(PA 的额定绝对最大值为5V)。 已证明该 PA 有点脆弱、但在不切实际的恶劣条件(非常低的温度)下、我们是有超过1k 产品存在此类问题的产品。

    今年、我们还有10个电池单元发生火灾。 事实证明、这些电池由于存储时间过长而深度放电。 遗憾的是、现场还有其他损坏的电池可能会烧坏

    因此、我们必须:

    实施对电池充电/放电的严格监控、以检测损坏的电池。 为此、我们将详细介绍充电的工作原理。 解释问题。

    我们还需要充分了解此512/VBUS 5 mA 充电模式的限制以及所有相关的潜在问题、包括由于 Q2故障而导致 VSYS 切换的潜在问题、这是为了限制其他系统部件过早故障的风险。

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    伊曼纽尔您好

    我们可以将此讨论移至电子邮件地址。

    我会联系您。