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[参考译文] LM51772:原理图审阅

Guru**** 2513945 points
Other Parts Discussed in Thread: LM51772, LM5177

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1448225/lm51772-schematic-review

器件型号:LM51772
Thread 中讨论的其他器件: LM5177

工具与软件:

大家好、团队成员:

请协助进行原理图审阅原理图。

输入电压9~36V、输出:12V/12A

不使用 I2C

谢谢

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    您好、Allen:

    感谢您使用 E2E 论坛。

    您能否  将填写完毕的 LM51772设计计算器附加到该主题中? 这是我们进行原理图审阅时最高效的工作流程。
     

    此致、

     Stefan

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    嗨斯特凡、μ A

    請注意CFG1~4、nRST、VIN-FB、VIN-FB。
    此設定有任何問題。μ A
    請告訴我如何糾正它。μ A

    目前有Buck功能、沒有Boost功能。μ A

    謝謝 μ A

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    您好、Stefan、

    软提醒器。

    您对原理图有什么意见吗? 谢谢。

    此致、

    Terry

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    尊敬的 Stfan:

    修改原理图:

    C3514、R3519、R3520 Remove (移除)

    nRST 至 Vin、

    CGF2  R3509短接至 GND

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    您好、Allen、Hi Terry、

    原理图很难阅读、特别是 LM51772的引脚无法读取。

    返回上一条评论:

    C3514、R3519、R3520移除: 好的

    nRST 至 Vin、: 必备选项

    请在下面查看我的审核列表和标记为粗体的行项目、应再次进行检查(注意:此处留下了其他信息、用于概述所检查的内容)

    已检查快速入门计算器

    • 斜率补偿应设置为1.5、请参阅第36行-> R_CFG1 = 8.3k
    • 电感器降额可设置为20%-> R_CFG3 = 2.7k
    • 交叉频率高得多->建议为28k
    • 相位裕度太低:应大于60度
      (注意:在整个 Vin 范围内检查)
    • 损耗似乎很高-检查对热耗散是否合适

     原理图:

    • 与电感器串联且在电感器之前具有 RCS
    • 检查过滤器是否存在 RC
      电流检测电阻 RCS 没有所需的滤波器
    • 检查过滤器是否有 Risns
      电流检测电阻器 Risns 没有滤波器-建议添加占位符
    • 如果未使用 ISNS、则将 IMONOUT 连接到 VCC
       如果未使用 ISNS、则将 ILIMCOMP 连接至 VCC2
    • SW1和 SW2上的缓冲器
      在 SW1和 SW2处放置缓冲器的封装
       (它们随后可以根据需要(例如、由于 EMI)在不更改布局的情况下进行安装)
      注意:缓冲器将电阻器与 GND 相连、以获得更好的热性能
    • BIAS 已连接
      如果未使用 BIAS、则连接到 VOUT 的 GND 或 VIN (请勿保持开路)
      BIAS 可以连接到 VIN (如果未超出 BIAS 的最大额定值)、以受益于 LDO 在 BIAS 上的更好性能
    • 在 MOSFET 栅极信号线路中添加串联电阻
      (它们可以在需要时(例如由于 EMI)更换、而无需更改布局、
      其他选项:并联添加一个二极管以实现慢速导通和快速关断。
      注意:良好的起始值为2.2Ω、然后在测试 PCB 时进行调整
    • MOSFET 的额定电压
      (建议裕度为30%)
    • MOSFET 的米勒平坦区
      所使用的 MOSFET 需要是逻辑电平 MOSFET -可在2.5V-3.5V 范围内的米勒平坦区看到
      不建议使用此 MOSFET
    • 相对于最低输入电压的 UVLO 设置
      UVLO 设置为 XV、但运行范围从 XV -相对较大的距离开始
    • VCC 处的电容22uF:(数据表最小值:直流偏置时为6uF)
      请检查 Vcc 上的电容是否具有所需的电容(考虑直流偏置)-我们在 EVM 上使用22uF 电容
    • VCC2用于控制和驱动器电源
      VCC1可用于外部逻辑-如果不使用、可禁用
    • FB 和 FBIN 的反馈分频器相同(检查是否需要 FBIN)
    • 需要 FB_IN:对于直通模式-仅使用外部 FB 分压器。 在内部 FB (FB 连接到 VCC2)的情况下将其连接到 AGND
    • LM51772:如果应通过 I2C 设置电压、则将 FB 连接到 VCC2
    • 不使用时、nRST 需要连接至 VIN

     

     

    有关布局指南、请先查看此应用报告: https://www.ti.com/lit/pdf/slvafj3

    此致、

     Stefan

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    1.如果未使用 ISNS、則將 IMONOUT 連接到 VCC

       => IMONOUT =腳位?μ V

    2. MOSFET 的米勒高原 Ω

      ISC027N10NM6米勒高原= 4.5V、可以嗎?

    3. CFG2設定0ohm可以嗎?

      不使用PCM μ A

    4. CFG4設定1.9k歐姆可以嗎?μ A

     負電流限制(&A 電流限制、感應ISNS還是CS?)

    5. PCM未使用設定

       CFG2設定0歐姆 μ A

      VIN-FB 至 GND

     

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    您好、Allen:

    1.是的,

    2. LM5177的米勒平坦区设置为高电平

    3. 是的  

    4、负电流限值 和 电流限值在此处可选 与 ISNS 有关

    5.是的

    不确定哪个文件是原理图以及其中是否有任何问题。

    此致、

     Stefan

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    1.  IMONOUT =引脚10 CDC???

    2. CFG2 VDET_EN 是 控制 寄存器还是 硬件引脚?

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    您好、Allen:

    不确定问题是什么、但让我尝试一下:

    1.电流监控器(电压测量值与 ISNS 上测量的电流成正比)可以在 CDC 引脚上测量  

    2. VDET_EN 可以通过 CFG2电阻设置启用,如果启用,设备将仅在 VIN 高于 VDET_EN 电平时才开始工作。

    此致、

     Stefan

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    您好、Allen:

    该线程再次处于活动状态、但我看不到回复。 如果丢失、请重新输入。

    此致、

     Stefan

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    您好、Stefan  

    毫无疑问

    感谢您的支持