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[参考译文] BQ77915:CTRD 上拉电阻器

Guru**** 2386610 points
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1454522/bq77915-ctrd-pull-up-resistor

器件型号:BQ77915

工具与软件:

我正在尝试使用 CTRD 在电池经过一段时间延迟后电压低于特定电压时关闭系统(使用 BQ7738的 UV 阈值作为失效防护)、我正在尝试使用光耦合器来保持接地隔离。 关断信号为低电平有效、因此在正常条件下、光耦合器会导通并将 CTRD 拉至低电平。  我在 CTRD 上放置了一个10M 上拉电阻器(连接到 VBAT)、因此当光耦合器关闭时、预计 CTRD 上升到 VBAT 并禁用 FET。 不过、这似乎没有发生。 我使用示波器对其进行了检查、CTRD 只上升到1.2V、不足以禁用 FET。 我将电阻器减小到1M、这样将 CTRD 拉至7V、但我想知道这里发生了什么、这样就不会遇到任何意外的边缘情况。 如果没有其他可行的电流路径、那么大上拉电阻器不会将 CTRD 一直拉至 VBAT 是否有原因?

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    Jeffrey、您好!

    该工程师目前不在办公室。 他们将在星期一回来提供回复。

    感谢您的耐心。

    此致、
    Alexis

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    Jeffrey、您好!

    CTRD/CTRC 会根据施加的电压消耗一些电流。 我猜测 CTRD/CTRC 消耗的电流过大。 导致10M Ω 电阻两端产生压降。  

    此致、

    Luis Hernandez Salomon

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    是否有办法解决此问题? 或者我们的解决方案是随意将电阻器降低到1米、将"高"电压升高到7 V、是不是可行?

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    Jeffrey、您好!

    在这种情况下、我认为唯一的解决方案是降低电阻器。

    您可能不需要将其降低到1M Ω、但必须将其降低到足以使 CTRx 电压上升到足以禁用 FET 的高电平。

    此致、

    Luis Hernandez Salomon