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[参考译文] LM61495-Q1：DS 中未提供更多细节-上升时间、下降时间、死区时间、栅源电压和体二极管电压

admin
Guru**** 2524460 points
Other Parts Discussed in Thread: LM61495-Q1

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1456398/lm61495-q1-request-for-additional-details-not-in-ds---rise-time-fall-time-dead-time-gate-source-voltage-and-body-diode-voltage

器件型号：LM61495-Q1

工具与软件：

高性能降压转换器专家-  

您可以帮助解答我的客户关于 LM61495-Q1的以下问题吗？

请提供以下信息：Vin=16V、Vout=3.3V、Iout=4.3A Fsw=400kHz、Lout=2.2uH。

  1. 高侧和低侧开关的上升时间
  2. 高侧和低侧开关的下降时间
  3. 击穿风险
  4. 内部开关的栅源电压。
  5. 内部开关的体二极管电压。

谢谢！
Reed

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    TI__Guru**** 2524460 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    你好

    此信息通常是专有信息。

    您能否通过 TI 电子邮件与我联系、我会将您引导至正确的工程师。

    谢谢