工具与软件：
我们使用 LM5185-Q1进行24V-15V 转换。 在我们的初始电磁兼容性测试中、我们会看到很多低频噪声。 以下是我们未经任何修改的无意辐射产生的结果：
以下是将铁氧体磁珠连接到电源输入时的结果：
以下是在隔离式 GND 和非隔离式 GND (也使用铁氧体磁珠)之间的变压器上连接2.2nF 电容器时的结果：
尝试其他电容器值会改变频谱、但不会改善结果。
我们还尝试了：
这些都没有做出任何重大改变。
有什么建议吗？
尊敬的 SK：
-首先,您能分享完整的原理图和布局吗? 请展示用于获取初始结果的 EMI 滤波器和原理图。
- LM5180-Q1是否是唯一的 DUT/噪声源？ 是否有任何其他开关元件可能会使读数增加 EMI？
接下来,看看您的结果, 30MHz -100MHz 范围内的噪声可能是 CM 噪声占主导地位,因为 HF 范围与 FSW 相比。 但是、也可能存在 DM 噪声。
-第三,请查看以下提供 CISPR25 5级 CE 通行证结果的应用说明。 请注意30MHz -100MHz 通过结果的 HF 范围。
-为获得通过结果所做的原理图和修改如下。 请特别注意以下几点：
a：使用的 Y 电容 C1具有1nF 的电容值。 该电容有助于衰减流经隔离栅的共模电流。
b. T1反激式变压器被屏蔽并连接到初级接地 GND (请参阅应用手册中的图片)。 屏蔽变压器有助于抑制来自变压器空气间隙(可能耦合到 EMI 滤波器上)的磁场。
c.缓冲器电容增加到100pF (与100 Ω 电阻串联)。 开关节点正输入和次级功率二极管之间的缓冲器有助于减轻的高频谐波。
f.将 EMI 上的 DM 电感器减少至4.7uH 并在 EMI PI 滤波器上额外添加100nF DM 电容器也可能有助于降低 DM 噪声。 请注意、在 LISN 旁边放置了额外的100nF 电容。
g.最后、我还建议添加 CMC (共模扼流圈)来还降低 CM 噪声。
h.关于布局、避免在变压器和 EMI 滤波电感器下方放置铜。 展开接地平面 GND 和 SGND、以改善开关环路的回路连接。
应用手册： LM5180 EMI 性能
谢谢你
