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[参考译文] BQ34Z100EVM:更新设计容量

Guru**** 2510095 points
Other Parts Discussed in Thread: EV2400, BQSTUDIO, BQ34Z100

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1457935/bq34z100evm-updating-the-design-capacity

器件型号:BQ34Z100EVM
主题中讨论的其他器件:BQ34Z100、EV2400、 BQSTUDIO

工具与软件:

进行电量监测。 我正在尝试更新设计容量的价值。 我按照文档中的所有步骤操作、并成功地更改闪存中的值。 问题是、当我通过扩展命令0x3C 访问 Design Capacity 时、它仍然显示默认值1000、而不是我保存在闪存中的值。 以下是我在尝试更新 Design Capacity 值时遵循的步骤:

1)解封和完全访问模式

  - 0x00、0x14、0x04

  - 0x00、0x72、0x36

  -将 0xFFFF 写入0x00

  -将 0xFFFF 写入0x01

2) 2)进入校准模式

  - 0x002D (启用校准模式)

  - 0x0081 (进入校准模式)

3)启用块数据控制

  - 061、0x00

4)选择正确的子类

  - 0x3E、 0x30

5) 5)选择正确的数据闪存块

  - 0x3F

  - offset/32=0

6) 6)读取已保存的值(通过导航到正确的块和偏移)

7) 7)写入更新后的值、即800、因此写入0x03和0x20。

   -将一个字节写入[0x40 +(偏移% 32)]、另一个字节写入[0x40 +(偏移% 32)+ 1]

8) 8)计算和更新校验和

9)退出校准模式

  - 0x0080

10) 10)重置器件

  - 0x0041

11) 11)密封设备

  - 0x00、0x20、0x00

 

其中 SUBCLASS = 0x30 (48)、偏移量为0x0B (11)。

进入解封、完全访问和校准模式时会检查标志、以确保模式正确。

结果=能够更新闪存中的值、从而验证校验和及更新过程是否正确。

问题=通过扩展命令0x3C 访问设计容量仍会显示默认值1000。

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好!

    您无需进入校准模式即可编辑与校准 ADC 无关的数据闪存参数。

    在更改 DF 参数之前、应先对器件进行 UNSEALED、UNSEALED FULL ACCESS 命令。

    是否可以选择使用 BQstudio 和 EV2400?

    本文档应该会有所帮助。

    与 bq34110 bq35100和 bq34z100-G1系列气体使用 I2C 通信

    监测计通信

    写入电量监测计后、您是否正在读回要验证的设计容量?

    此致、

    Diego

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    您好!

    感谢您的答复。

    我现已删除校准模式部分、并进入 UNSEALED 模式和 FULL ACCESS 模式、但通过扩展命令可用的 Design Capacity 仍具有其默认值。  

    我现在正在使用 BQstudio、在这里、我会解封、进入 FULL ACCESS 模式、然后更改 设计容量的 DF 值。 然后重置器件、设计容量的新值将成功保存在闪存中。 但在 BQstudio 中通过扩展命令读取设计容量 仍会产生默认值。

    电量监测计通信文档介绍了有关 ROM 电量监测和更新 cfg 位的一些内容。 但 BQ34Z100没有任何此类的 cfg 位。 闪存中的值更新后是否还有其他内容需要更新? 以便通过扩展命令读取的只读设计容量值在闪存中变为1?

    我现在正在使用 BQstudio、因此我会读回正确的值。  

    谢谢!  

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    电量监测计需要固件更新。