This thread has been locked.

If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.

[参考译文] BQ76200:VDDCP 值对 FET 的影响

Guru**** 2386850 points
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1458873/bq76200-effect-of-vddcp-value-on-fet

器件型号:BQ76200

工具与软件:

我使用 BQ76200PW 芯片和 MOSFET (FDBL86066-F085) 6充电和6放电。
我想知道当使用4.7uF 和 Vddcp 的1uF 电容值时是否有任何问题。

根据 Vddcp 值、FET 可能裸片。


所用 FET 的 Ciss 值为3240pF。

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、我的

    类型的菜单 第6节"VDDCP 电容参考表" 状态  适用于 bq76200高侧 N 通道 FET 驱动器的 FET 配置应用手册以供参考。 对于 FET 电容、1uF 应该足以满足 VDDCP 的要求。

    是的、您可以使用1uF 或4.7uF、没问题、最大的区别是电荷泵完全导通所需的时间可能更长。

    此致、

    Luis Hernandez Salomon