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器件型号:BQ76200 工具与软件:
我使用 BQ76200PW 芯片和 MOSFET (FDBL86066-F085) 6充电和6放电。
我想知道当使用4.7uF 和 Vddcp 的1uF 电容值时是否有任何问题。
根据 Vddcp 值、FET 可能裸片。
所用 FET 的 Ciss 值为3240pF。
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工具与软件:
我使用 BQ76200PW 芯片和 MOSFET (FDBL86066-F085) 6充电和6放电。
我想知道当使用4.7uF 和 Vddcp 的1uF 电容值时是否有任何问题。
根据 Vddcp 值、FET 可能裸片。
所用 FET 的 Ciss 值为3240pF。
您好、我的
类型的菜单 第6节"VDDCP 电容参考表" 状态 适用于 bq76200高侧 N 通道 FET 驱动器的 FET 配置应用手册以供参考。 对于 FET 电容、1uF 应该足以满足 VDDCP 的要求。
是的、您可以使用1uF 或4.7uF、没问题、最大的区别是电荷泵完全导通所需的时间可能更长。
此致、
Luis Hernandez Salomon