This thread has been locked.

If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.

[参考译文] UCC21540:最小脉冲宽度系统级研究

Guru**** 2502205 points


请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1451415/ucc21540-minimum-pulse-width-system-level-study

器件型号:UCC21540

工具与软件:

您好!

2024年11月数据表发布的第8.3.4节是指由于不遵守特定的最小脉冲宽度而导致击穿的潜在风险。 此外、该最小脉冲宽度取决于许多电路参数。

这里的问题有两个:

  1. 为了确定特定应用中的最小输出脉冲宽度、应执行哪些系统级研究?
  2. 击穿风险是否仅是因为在非零电流开关事件期间可能发生的 EOS 驱动器损坏? 或者、即使没有 EOS 驱动器损坏、输出级也不会如第7.1节所示改变状态、是否存在直接击穿的风险?

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Nico:

    感谢您联系我们!

    为确定特定应用中的最小输出脉冲宽度、应进行哪些系统级研究?

    重点应在于确保当驱动器切换状态时、栅极环路路径中没有电流。 为此、您需要了解 MOSFET 电容的充电/放电时间、并向驱动器输入的最小导通和关断脉冲大于这些持续时间。  

    Unknown 说:
    击穿风险是否仅是因为在非零电流开关事件期间可能造成的 EOS 驱动器损坏? 或者即使没有 EOS 驱动器损坏、输出级也不会如第7.1节所示改变状态、是否存在直接击穿的风险?

    窄脉冲导致的 EOS 驱动器损坏通常不会导致击穿。 我认为、本应用手册是指可以将输出保持在高电平的输入抗尖峰脉冲滤波器。 如果在应用中未启用死区时间互锁功能、这将允许两个输出都开启。

    希望这可以帮助您解决问题。 如果需要、请随时提出任何其他问题。

    此致、

    Hiroki

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    嗨、Hikori:

    请参阅以下内容。

    重点应在于确保当驱动器切换状态时、栅极环路路径中没有电流。 为此、您需要了解 MOSFET 电容的充电/放电时间、并向驱动器输入的最小导通和关断脉冲大于这些持续时间。  [报价]

    您是否建议测量 Vgs 上升/下降时间以确定特定应用中的最小导通和关断脉冲?

    由窄脉冲引起的 EOS 驱动程序损坏通常不会导致击穿。 我认为、本应用手册是指可以将输出保持在高电平的输入抗尖峰脉冲滤波器。 如果应用中未启用死区时间互锁功能、这将允许两个输出都开启。

    因此、您能否确认、如果通过外部电阻器设置死区时间、抗尖峰脉冲滤波器不可能通过窄脉冲引起击穿?

    [/quote]
  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Nico:

    您是否建议测量 Vgs 上升/下降时间以确定特定应用中的最小导通和关断脉冲?

    是的、这是查看完全充电/放电所需时间的最佳方法。  

    因此、您能否确认如果通过外部电阻设置死区时间、抗尖峰脉冲滤波器不可能通过窄脉冲引起击穿?

    是的、我可以确认这一点。 设置死区时间后、不会出现窄脉冲引起的击穿情况。  

    此致、

    Hiroki