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https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1463489/lm5175-data-sheet-circuit-4-does-not-converge
工具与软件：
我在这方面工作了相当长一段时间,没有成功。 请仔细阅读并提出建议。
e2e.ti.com/.../PETE-LM5175-011525.DSN
保存错误的版本。 FET 栅极短路以及其他问题。 将重新发布。
我认为文件是正确的和. PNG 错误。
尊敬的 Pete：
我们将对此进行调查、并会在下周中期结束。
此致、
Stefan
非常感谢您的耐心。 我已经运行了您的仿真、并得到了相同的收敛误差。 这可能与您使用的 MOSFET 模型相关。 我还注意到、您使用的是500m Ω 的感应电阻、这是相当高的。 (R8)
我已经使用理想 MOSFET 运行仿真。 此处的仿真运行正常。 下面随附了仿真文件。
e2e.ti.com/.../8004.LM5175_5F00_PSPICE_5F00_TRANS.zip
如果您可以使用此模型、或者还有其他问题、请告诉我。
此致、 Niklas
"C：\CDS_SPB_HOME\cdssetup\Projects\Pete LM5175 011525\Pete LM5175 011525.opj"
我正在尝试设计一款24V 大电容100mA 充电器。 我进行了一项测试、并成功在 Analog Devices Spice 中对其进行了建模。 我们想利用同步调节来减小二极管整流电路的差异。 检测电阻和电感器如此之大是因为对电流的要求较低。 我运行了 AD 反馈环路、不是采用电压检测、而是采用感应电阻器感应到的平均电流。 我们是否有一个可以使用的更稳定的实际 FET？ AD sim 采用了带 IRFZ44N 的 MAX51597、仿真器运行迅速。 我们制造的是、如果我无法使用实际的 FET 模型、而不是电压控制开关来证明这一点、 大电容与低电流 PS 共享、并允许非常高且不常出现的大脉冲负载。 这是客户现有系统的改装选项。
我的模型受到收敛问题的影响。
感谢您的澄清。 遗憾的是、我不是 MOSFET 专家、因此我不能推荐特定器件、也不能说出哪些 FET 在仿真中可以正常运行、哪些 FET 不能正常运行。 我建议首先检查您的仿真是否可以使用理想 MOSFET 正常运行、以便我们可以阐明 MOSFET 是导致收敛误差的。 除了切换到其他 MOSFET 器件、还可以通过调整仿真设置来实现收敛。 (例如、改变步长和收敛参数) 有关更多详情、请访问此处： e2e.ti.com/.../lm5118-pspice-reference-simulation-not-converging
e2e.ti.com/.../Print-012025.pdf
