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工具与软件:
我想假设在不使用脉冲变压器的情况下使用一个 PWM IC (UCC28711)驱动两个串联 MOSFET。 在这种情况下、如果假设 PCB 的寄生元件和 MOSFET 的参数相同、即在理想情况下、在反激式转换器中、在关断期间、分布在 MOSFET 上的电压是否会平均分为1/2?
创建图像是为了帮助理解、参考、我将使用的 PWM IC 是28711。
这里、Q1和 Q2由单个 PWM IC 同时运行、这符合我在问题中的意图。
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工具与软件:
我想假设在不使用脉冲变压器的情况下使用一个 PWM IC (UCC28711)驱动两个串联 MOSFET。 在这种情况下、如果假设 PCB 的寄生元件和 MOSFET 的参数相同、即在理想情况下、在反激式转换器中、在关断期间、分布在 MOSFET 上的电压是否会平均分为1/2?
创建图像是为了帮助理解、参考、我将使用的 PWM IC 是28711。
这里、Q1和 Q2由单个 PWM IC 同时运行、这符合我在问题中的意图。
您好!
您无法这样驱动串联 FET。
如您所述、驱动高侧 FET 的一种方法是使用栅极驱动变压器。
我知道您不想使用这种方法。
另一种方法是使用半桥驱动器来驱动高侧和低侧 FET。 UCC27714将适用于该应用。
https://www.ti.com/lit/ds/symlink/ucc27714.pdf
另一种选择是对高侧使用隔离式栅极驱动。 单击以下链接可打开高侧栅极驱动器文件夹。 https://www.ti.com/power-management/gate-drivers/isolated-gate-drivers/products.html
如果您对如何在应用中使用 UCC27714或如何在应用中使用其中一个隔离式栅极驱动器有任何疑问、请在 e2e 中重新发布、并在主题标题中注明驱动器器件型号。 这样、相应的应用工程师就可以回答您的问题。
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此致、