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[参考译文] UCC5350:SiC FET 和隔离式驱动器及电源的布局审查

Guru**** 2380860 points
Other Parts Discussed in Thread: UCC14240-Q1
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1465623/ucc5350-lay-out-review-for-sic-fet-and-isolated-driver-and-supply

器件型号:UCC5350
Thread 中讨论的其他器件:UCC14240-Q1

工具与软件:

尊敬的 TI:

附件为由隔离式驱动器和电源驱动的 SiC FET 的布局: UCC5350MC 和 UCC14240。

问题:我消除了驱动引脚下方的接地平面、但仍然有一条大引线用于连接所有电容器。  这可以有多宽、或者它是否会在栅极引线下产生寄生电容。

我应该包括米勒钳位电阻器 R140吗、以防万一、或者不可能使用它而将其消除?

电容器仍然有长布线。  这是否可以接受?

我期待着您的体验。

谢谢。

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Ron:

    您应该对米勒关断电阻器使用0欧姆电阻。 如果您向 IN+添加100pF 的去耦电容、那么移除驱动引脚下方的接地平面没有太大好处、并且可能您应该将 R136增加到10k、这样它就不会消耗过多电流。 似乎您仍在处理 UCC14240-Q1的无源值。

    您应该在 VEE2和 VCC2之间放置一个本地100nF 去耦电容器、以保护输出级免受瞬态过压的影响、但较大的大容量电容器可以离得更远。

    此致、

    Sean