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[参考译文] CSD18533KCS:TI MOSFET 的现场故障

Guru**** 2380860 points
Other Parts Discussed in Thread: CSD18533KCS
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1461691/csd18533kcs-field-failure-of-ti-mosfet

器件型号:CSD18533KCS

工具与软件:

我需要有关客户使用产品编号 CSD18533KCS (晶体管、MOSFET)时遇到的问题的帮助。  我们获得了许多需要更换此组件的退货、因此为了找出根本原因、我们发送了有缺陷的组件和一个从未使用过的组件到第三方实验室进行故障分析。  结论是、器件由于源极引线键合到裸片上的电气击穿而发生故障。  击穿可能是芯片损坏导致的、即由于源键合线的尺寸而引起的键合 cratering。  实验还注意到、控制样本(新的、从未使用过的元件)显示了不同的键合方向、这表明在某个时间点可能已进行了设计更改、以便通过将键合负载对角线分散到源触点而不是平行的方式来纠正问题。

我需要知道何时实施了设计更改以及更改的原因。

请在我们有客户需要答案时尽快提供这些答案。

提前感谢您对此事的帮助。

Norbert Jarosch

质量经理

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    您好、Norbert、

    感谢您的咨询。 对于此问题、请通过以下链接联系 TI 质量组织、将器件退回 TI 进行故障分析。 通常、TI 不接受第三方失效分析。 此 FET 在2个不同的制造位置组装、两者应具有相同的接线方向。 如果您有任何问题、敬请告知。

    http://www.ti.com/support-quality/additional-information/customer-returns.html

    此致、

    约翰·华莱士

    TI FET 应用

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    您好、Norbert、

    请继续关注这个问题。 我们检查了组装这些器件的两个子缺点、并且工艺没有变化。 一个子连接进行对角线引线键合、另一个子连接进行垂直引线键合。 从组装的角度来看、这两种方法都是正确的。 请继续与 TI 质量组织合作以帮助解决此问题、必要时将器件退回 TI 以进行故障分析。 您是否能够共享第三方 FA 报告? 如果是、请以私人消息的形式将其发送给我。 我会向您发送朋友请求。

    谢谢!

    John